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胡良均

作品数:8 被引量:76H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 5篇INAS/G...
  • 5篇INAS/G...
  • 3篇发光
  • 3篇MN
  • 3篇磁性
  • 3篇磁性质
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇团簇
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇MN掺杂
  • 2篇掺杂
  • 1篇低碳贝氏体
  • 1篇低碳贝氏体钢
  • 1篇低碳微合金
  • 1篇低碳微合金钢
  • 1篇针状

机构

  • 6篇中国科学院
  • 2篇北京科技大学

作者

  • 8篇胡良均
  • 5篇王占国
  • 4篇陈涌海
  • 4篇叶小玲
  • 2篇尚成嘉
  • 2篇赵运堂
  • 2篇贺信莱
  • 2篇王学敏
  • 1篇于理科
  • 1篇赵昶
  • 1篇刘宁
  • 1篇杨善武
  • 1篇金鹏
  • 1篇雷文

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法
本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构,包括:一衬底;一缓冲层,该缓冲层沉积在衬底,它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来;一绝缘层,该绝缘层沉积在缓冲层上;一量子点注入层,该量子点注入层...
胡良均陈涌海叶小玲王占国
文献传递
注Mn InAs/GaAs量子点光电磁性质的研究
Mn掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体的磁学起源研究和性能开发是目前最前沿的课题之一,本文对InAs/GaAs量子点进行Mn掺杂,首先用分子束外延技术制备InAs量子点材料,然后用离子注入的方法将Mn注入到量子点有源层,通过快速退火恢...
胡良均
关键词:量子点
低碳微合金钢中针状铁素体的形成与控制被引量:62
2005年
低碳微合金钢连续冷却时都会产生多种类型的中温转变组织,低冷速下主要得到粒状贝氏体组织,高冷速下主要得到板条贝氏体组织.连续冷却时,在较高中温转变温度范围可形成针状铁素体,其转变受冷却速度和过冷温度影响.通过控冷可以在低碳微合金钢中得到贝氏体和针状铁素体多相组织,利用针状铁素体能改善高强度低碳微合金钢的综合力学性能.
尚成嘉胡良均杨善武王学敏赵运堂贺信莱
关键词:低碳微合金钢针状铁素体
弛豫—析出—控制相变技术中冷却速度对组织的影响被引量:14
2004年
利用热模拟实验,对在非再结晶温度变形后弛豫一段时间,再以不同冷速冷却的低碳贝氏体钢的相变组织进行了研究,并与同等条件不弛豫的试样组织进行了对比.给出了弛豫和冷速对中温转变组织类型及组织细化程度的影响.实验结果表明,弛豫及冷却速度对变形奥氏体的相变组织是有影响的.低冷速下主要得到边界及取向不清晰的粒状贝氏体,这时弛豫时间对细化程度影响不明显,在10℃/S以上冷速下得到的是以板条贝氏体为主的组织,与未弛豫试样比较,其组织更细,板条形状更清晰,弛豫试样组织中残余奥氏体或M/A岛的形状更细长,弛豫有利于在同等冷却条件下得到板条组织,并且在高冷速下,弛豫试样中M/A量较未弛豫试样中的要少.
胡良均尚成嘉王学敏赵运堂贺信莱
关键词:低碳贝氏体钢
自组织量子点的形成过程
2006年
利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.
于理科徐波王占国金鹏赵昶雷文胡良均刘宁
关键词:量子点AFMPL谱
Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究被引量:2
2007年
用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40K附近会出现反常行为.
胡良均陈涌海叶小玲王占国
关键词:离子注入INAS/GAAS量子点光致发光团簇
离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点光磁性质研究
用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,我们认为这与样品中的缺...
胡良均陈涌海叶小玲王占国
关键词:INAS铁磁性
文献传递
离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质
2007年
用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs和小的Mn颗粒,表现出较好的低温铁磁性.
胡良均陈涌海叶小玲王占国
关键词:INAS/GAAS量子点光致发光团簇铁磁性
共1页<1>
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