胡雄伟
- 作品数：162 被引量：210H指数：8
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 时分波分复用无源光网络终端收发集成芯片的制作方法
- 一种时分波分复用无源光网络终端收发集成芯片的制作方法，包括：取一宽带滤波器；在其后端分别连接有复用器阵列波导光栅输出波导和解复用器阵列波导光栅输入波导；并分别连接有复用第一平板波导区和解复用第一平板波导区连接；在其之后分...
- 安俊明尹小杰张家顺王亮亮李建光吴远大王红杰王玥胡雄伟
- 文献传递
- 一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器
- 本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，...
- 王玥张家顺吴远大安俊明李建光王红杰胡雄伟
- 浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应被引量：1
- 1999年
- 利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ。
- 朱洪亮韩德俊胡雄伟汪孝杰汪孝杰
- 关键词：激光器
- 紫外光直写制作掺铒杂化SiO<Sub>2</Sub>光波导放大器的方法
- 一种紫外光直写制作掺铒杂化SiO<Sub>2</Sub>光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先用热氧化法在单晶Si衬底上生长下包层；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性SiO<Sub>...
- 王鵫吴远大李建光王红杰安俊明胡雄伟
- 文献传递
- 采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法
- 本发明一种采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一阵列波导光栅；步骤2：在阵列波导光栅的输出波导的末端加入损耗微调波导，从而实现阵列波导光栅的输出通道均匀。
- 安俊明李建光王红杰吴远大胡雄伟
- 文献传递
- SOI基亚微米光波导可调光衰减器的设计被引量：2
- 2015年
- 基于硅的等离子色散效应,构建了SOI基光波导可调光衰减器(VOA)仿真模型,对SOI基亚微米脊形波导结构的模式特性、VOA器件的掺杂区间距、掺杂深度及浓度对VOA特性的影响进行了系统的模拟分析,优化设计出了小尺寸、低损耗的VOA器件,仿真结果表明:该器件在2.1V电压下即可获得30dB衰减量,功耗仅为14mW。
- 刘瑞丹王玥吴远大安俊明胡雄伟
- 关键词：绝缘体上硅可调光衰减器
- 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
- 朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
- 关键词：单量子阱激光器
- 快速遗传算法优化计算二维光子晶体被引量：3
- 2006年
- 采用平面波展开法和快速遗传算法优化设计具有大禁带的二维光子晶体.从随机产生的晶体结构开始,在遗传算法中引入占空比控制算符和傅里叶变换数据备份机制,快速搜索到了具有较大绝对禁带的正方晶格光子晶体,其最大完全禁带的相对宽度值为13.25%,并且制备难度较低.
- 龚春娟胡雄伟
- 关键词：二维光子晶体光子带隙遗传算法平面波展开法
- 利用光感应性SiO<Sub>2</Sub>凝胶薄膜制作微细图形制作方法
- 本发明公开了一种利用光感应性SiO<Sub>2</Sub>凝胶薄膜制备微细图形的方法，采用溶胶-凝胶法制膜，并加入化学修饰剂，使其和Si形成感光性螯合物，当紫外线照射这种薄膜时，感光性螯合物发生分解，从而引起薄膜在有机溶...
- 赵高扬赵桂荣胡雄伟
- 文献传递
- 火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究被引量：5
- 2004年
- 用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶。在此GeO2 SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2 B2O3 SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶。
- 郜定山李建光安俊明李健夏君磊王红杰胡雄伟
- 关键词：二氧化硅析晶三氧化二硼
