范天伟
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 基于周期极化掺镁铌酸锂晶体二维阵列光分束器的研究
- 1836年，H.F.Talbot将一束单色平面光照射在一周期性阵列光栅上，发现在光栅后方一些特定位置，可观测到光栅的自身像，这种光学自成像现象被定义为泰伯(Talbot)效应。Talbot效应在周期性阵列光分束器件中广泛...
- 范天伟
- 关键词：周期性极化泰伯效应
- 文献传递
- 铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究被引量：1
- 2015年
- 在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究。结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38%,平均透光率比LN衬底提高了1.1%。应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67。
- 柯笑晗陈云琳朱亚彬范天伟
- 关键词：ITO薄膜铌酸锂磁控溅射光电性质
- 一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法
- 本发明公开了属于新型电子器件及光信息技术领域的一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法。该方法为：1）求解二维六角光子晶体位相阵列结构的菲涅耳衍射方程，确定最佳设计参数；2）设计二维亚微米周期结构的六角光子晶体微结构...
- 陈云琳张进宏范天伟
- 文献传递
- 畴腐蚀掺镁铌酸锂光分束器的泰伯效应研究被引量：2
- 2014年
- 基于菲涅耳衍射理论分析了畴腐蚀二维周期结构掺镁铌酸锂晶体光分束器的泰伯效应,对光分束器不同占空比D及泰伯分数β条件下的近场光衍射自成像进行了数值模拟研究。设计并制备了不同占空比的畴腐蚀掺镁铌酸锂晶体光分束器,并对其进行了分数泰伯光衍射自成像的实验研究,得到了不同泰伯分数β条件下的近场光衍射强度分布。结果表明,当光分束器占空比D=52%、泰伯分数β=2时,近场衍射自成像效果最佳,实验结果与理论研究结果相符。
- 范天伟陈云琳
- 关键词：光学器件衍射泰伯效应光分束器
- 基于Talbot效应的掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅的研究被引量：8
- 2013年
- 本文系统研究了基于泰伯效应(Talbot)的位相可调掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅及其光衍射成像,对光栅占空比 D、不同位相差φ、及泰伯分数β条件下的光栅近场光衍射强度分布进行了理论研究, 结果表明当光栅占空比 D = 52%、位相差φ = 0.75 π、泰伯分数β = 0.2 时, 光栅近场衍射光图像效果最佳. 实验设计与制备了掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅,并对其进行了Talbot衍射光成像实验研究,得到了不同位相差和不同泰伯分数β条件下光栅近场衍射光图像,实验结果与理论研究结果相符.
- 范天伟陈云琳张进宏
- 关键词：泰伯效应
- 掺镁铌酸锂电光调制位相阵列光栅
- 2015年
- 设计并制备了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的二维六角可调位相阵列光栅,在较低外加调制电压下,获得了清晰的阵列光栅泰伯(Talbot)光衍射自成像。试验研究了不同相位差时阵列光栅的近场光衍射图样及取样光点处的相对光强分布,在占空比D为52%、相位差Δφ为0.75π、泰伯分数β为0.5时,近场光衍射相对光强最大。同时在较低外加调制电压(0.461kV)下,即可获得清晰泰伯衍射图样。该研究可为掺镁铌酸锂阵列光栅在集成光学领域的应用提供参考。
- 佟曼范天伟陈云琳柯笑晗
- 关键词：泰伯效应
- 畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究
- 2016年
- 研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应.对不同Talbot分数β和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究.模拟结果表明,Talbot分数β可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布,而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布.在理论研究的基础上,设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器,对其在不同Talbot分数β条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究,实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制,实验结果与理论研究结果一致.
- 佟曼范天伟陈云琳
- 关键词：TALBOT效应
