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董玉峰

作品数：4 被引量：13H指数：2
供职机构：重庆大学物理学院应用物理系更多>>
发文基金：教育部“春晖计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇气敏
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇氧浓度
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇射频
  • 1篇透明导电
  • 1篇气敏传感器
  • 1篇气敏特性
  • 1篇热灯丝
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇核化
  • 1篇二氧化锡薄膜
  • 1篇感器
  • 1篇SNO
  • 1篇SOL-GE...
  • 1篇SOL-GE...

机构

  • 4篇重庆大学

作者

  • 4篇董玉峰
  • 4篇王万录
  • 3篇廖克俊
  • 2篇秦友兰
  • 1篇王蜀霞
  • 1篇冯斌
  • 1篇郭忠诚
  • 1篇肖金龙

传媒

  • 2篇广西师范大学...
  • 2篇重庆邮电学院...

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
氧浓度和衬底温度对透明导电Cd_2SnO_4薄膜光学性质的影响被引量：2
1999年
采用射频溅射方法在Ａｒ＋ Ｏ２ 气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜，报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高，衬底温度越高，则薄膜透射率、折射率越大，而消光系数越低。对这些结果，从ＣＴＯ膜的晶格常数、氧空位等角度进行了理论分析。
董玉峰王万录廖克俊吴彬
关键词：氧浓度衬底温度导电薄膜光学性质
衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究被引量：2
1999年
以ＣＨ４ 和Ｈ２ 为反应混合气体，用衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）面上制备金刚石膜，使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｒａｍ ａｎ 谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对在硅尖上的金刚石核化进行了研究，并着重讨论了沉积在硅尖上的金刚石颗粒的生长机理。
郭忠诚王万录廖克俊董玉峰秦友兰冯斌
关键词：金刚石薄膜核化CVD热灯丝
CdIn_2O_4薄膜气敏特性的研究被引量：1
2000年
在 Ar+O2 混合气体中用射频反应性溅射方法制备了纯的和 Pt掺杂的 Cd In2 O4薄膜 ,用 XRD,AES等方法分析了薄膜的结构和化学成分 .测试了两种薄膜对酒精气体的气敏特性 ,包括灵敏度随温度、气体浓度的变化以及传感器元件的响应曲线 ,并对气敏机理进行了讨论 .
董玉峰廖克俊王万录王蜀霞
关键词：气敏特性
用Sol-Gel法制备气敏传感器SnO_2薄膜的研究被引量：8
2000年
采用无机试剂 ( Sn Cl4 · 5H2 O)为原料 ,用溶胶 -凝胶 ( Sol-Gel)法制备研制气敏传感器的 Sn O2 薄膜 ,研究了 Sn O2 薄膜的电阻随掺杂和温度的变化关系 ,并且用 XRD对 Sn O2 薄膜进行分析 .结果表明 ,掺杂和热处理温度对薄膜晶粒尺寸的大小、薄膜的结构形态均有较大的影响 ,进而影响薄膜的电导及传感器的灵敏度 .
秦友兰王万录赵作峰肖金龙董玉峰
关键词：XRD二氧化锡薄膜溶胶-凝胶法气敏传感器
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