蒋艳平
- 作品数：55 被引量：45H指数：4
- 供职机构：广东工业大学物理与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目湖南省科技厅重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 一种非晶薄膜器件以及制作方法
- 本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，...
- 汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
- 一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法
- 本发明公开一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法，其低漏电流半导体薄膜异质结是在基底上沉积具有钙钛矿结构的弱铁电性薄膜层，然后在铁电薄膜层上再沉积多铁性薄膜，形成ABO<Sub>3</Sub>型多铁性薄膜／ABO<Sub...
- 刘秋香马才兵唐新桂蒋艳平
- 文献传递
- 钇和镧掺杂氧化铝陶瓷的热导及其介电弛豫特性研究被引量：2
- 2012年
- 采用氧化物固相反应法,制备出纯氧化铝陶瓷及其分别掺杂稀土元素钇和镧的陶瓷样品.测量了样品的结构、介电特性和热导性能;研究了烧结温度对掺杂不同稀土元素的陶瓷样品的性能的影响.X射线衍射结果表明1500℃烧结后陶瓷样品形成了单一的固溶体.而氧化铝的热导率达到8.60W/(m·K),样品的介电性能稳定.我们发现掺杂Y^(3+)和La^(3+)的氧化铝陶瓷存在介电弛豫现象,并对该现象进行了机理分析.
- 伍君博唐新桂贾振华陈东阁蒋艳平刘秋香
- 关键词：AL2O3陶瓷热导率介电弛豫
- 一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用
- 本发明属于薄膜器件技术领域，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；第一电极结构设置于基底上；非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧；第二电极...
- 汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
- 文献传递
- 钙钛矿铁电陶瓷与薄膜的介电调谐特性研究及应用
- 唐新桂刘秋香蒋力立熊惠芳蒋艳平张伟李群匡淑娟程铁栋陈王丽华
- 随着现代通信技术的发展，对微波通信用的相移器、滤波器、微波介电调谐等器件的技术要求越来越高。钛酸锶钡材料的介电调谐特性研究是国际上热点之一，已经在微波器件方面得到美国军方的应用。而锆钛酸钡比钛酸锶钡化学结构更稳定，后者成...
- 关键词：
- 铁掺杂钛酸锶薄膜的多铁性能与电阻开关特性研究
- 通过溶胶凝胶法制备了一系列的SrTi1-xFexO3(0￡x￡0.2)薄膜，并研究了掺杂浓度、退火气氛、薄膜厚度以及黄厚兵退火温度对薄膜的电学及磁学性能影响.当用Fe 离子取代Ti 离子，随着浓度的增加，薄膜的铁电和铁磁...
- 唐新桂王一光蒋艳平刘秋香
- 关键词：钛酸锶铁电铁磁电阻开关
- 铌酸锶钡陶瓷中氧空位对离子电导率和弛豫现象的影响
- 2019年
- 由于铅对环境存在各种危害,无铅铁电功能陶瓷的研究是当前研究热点之一.弛豫铁电体因具有较低的容温变化率和大的电致伸缩系数,在陶瓷电容器材料中占据重要地位.且无铅功能陶瓷在高温介电行为和阻抗的分析研究工作对功能陶瓷在高温下的适用具有重要的指导意义.SrxBa1-xNb2O6陶瓷采用传统的高温固相反应法制备而成,并系统地研究了SrxBa1-xNb2O6陶瓷的介温特性和阻抗.值得注意的是,铌酸锶钡的高温弛豫尚未研究报导.结果显示,锶在陶瓷中组分比例的增加会使铁电相转变为顺电的相变温度降低.此外,通过计算,x=0.6的铌酸锶钡陶瓷的弥散相变参数g=1.94,表明x=0.6的铌酸锶钡陶瓷在低温下接近理想的弛豫铁电体.另外,阻抗分析数据显示陶瓷存在热激活弛豫现象.最后,利用阿伦尼乌斯定律从阻抗和介电数据中计算出了电导活化能和弛豫活化能.计算结果证明,氧空位引起的离子跳跃在高温介电弛豫过程中发挥了关键作用.
- 汤卉唐新桂蒋艳平刘秋香李文华
- 关键词：弥散相变弛豫型铁电体氧空位
- 一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法
- 本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法，包括：在基底表面旋涂底电极溶液后退火，形成底电极；在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤，形成酸锶薄膜；将所述钛酸锶薄膜进行退火处理，形成非晶薄膜；在所述非晶薄膜表面进行电...
- 汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
- 钛酸铅基陶瓷中缺陷有关的钉扎现象与介电特性研究
- 钛酸铅(PbTiO3)属于钙钛矿型铁电体,其居里温度为490℃,高于居里温度的顺电相空间点群为Pm3m,而低于居里温度的铁电相空间点群为P4mm.
- 唐新桂张天富刘秋香蒋艳平
- 关键词：介电弛豫
- Defects Induced Magnetic Properties of Bi3.15La0.85Ti3O12 Thin Films Grown on LaNiO3 Buffered Si Substrates By Chemical Solution Deposition
- Bi3.15La0.85Ti3O12(BLT)thin films grown on LaNiO3(LNO)buffered Si(100)substrates were prepared by chemical sol...
- 李蕊唐新桂蒋艳平刘秋香
- 关键词：DEFECT
