袁海荣
- 作品数：37 被引量：70H指数：5
- 供职机构：云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- MgF2/ZnS双层减反射膜的研制
- 制作减反射膜是增加光的入射,从而提高太阳电池的光生电流和效率的常用方法。 减反射膜的基本原理是利用光波在减反射膜上下表面反射所产生的光程差使得两束反射光干涉相消,从而减弱反射,提高光的入射。在太阳电池材料和入射光谱确定的...
- 常秀兰向贤碧袁海荣
- 关键词：入射光
- 文献传递
- 三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
- 陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国
- 关键词：GAN缓冲层MOVPE
- 热壁外延碲化镉薄膜光学特性的分析及测试被引量：3
- 2007年
- 用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量。对玻璃衬底的样品模式:空气-CdTe薄膜-玻璃-空气系统经光照的反射、吸收和透射问题进行了严格的数学处理,给出了总反射率和透射率的表达式。用Cary5000型双光束分光光度计测试了样品薄膜的反射谱和透射谱,据测量结果经数学处理,计算得到了描述薄膜宏观光学特性的重要物理量,即薄膜的本征光学吸收系数、消光系数、折射率和联系宏观可测量与微观量之间桥梁作用的复介电函数ε=ε1-iε2。用"Tauc"作图法,得到了薄膜的光学能隙Egopt,证明了材料是直接带隙结构,得到了薄膜厚度分别为0.12、0.48、0.81μm时相应的多晶晶粒尺寸增大的样品,其光学能隙分别变窄为1.54、1.48和1.46eV,向单晶CdTe能隙值1.44eV逼近。薄膜在本征吸收的可见光区有高的吸收系数。
- 陈庭金姚朝晖王履芳汤叶华夏朝凤袁海荣
- 关键词：热壁外延CDTE薄膜光学特性
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- HWE生长条件对CdTe/Si薄膜结构特性的影响被引量：1
- 2007年
- 研究了热壁外延(HWE)生长条件对Si(100)衬底上沉积外延的多晶CdTe薄膜的晶粒尺寸和取向的影响。用SEM和XRD技术分析了不同外延时间、不同衬底温度及不同源温下外延膜的表面形貌和结构特征。SEM发现随着外延时间的增加或衬底温度的提高,晶粒尺寸明显增大;XRD显示所有的外延薄膜均为面心立方结构,并高度显示优势取向(111),且随着衬底温度或薄膜厚度的增加,(111)峰的衍射强度增加,显示薄膜的择优取向更好。其原因是面心立方结构中,(111)表面具有的表面自由能最低。通过对不同外延时间下薄膜厚度的测试发现,薄膜具有加速生长趋势。衬底温度及源温对外延层厚度均有较大的影响。
- 姚朝晖陈庭金夏朝凤袁海荣宋一得廖华刘祖明
- 关键词：热壁外延CDTE薄膜结构特性
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- 关于“对GaAlAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法”的评论——同鞠定德先生商榷被引量：1
- 1997年
- 本文认为《云南师范大学学报》自然科学版，Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ３（１９９４．９）中“对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池结构的一点新看法”一文提出的“新看法”是错误的。
- 陈庭金涂洁磊袁海荣
- 关键词：太阳能电池砷化镓
- 硅衬底上生长氮化镓外延材料的研究
- 用水平低压金属有机物气相外延(MOVPE)方法,在硅(Si)衬底和γ-AlO复合衬底上,生长了氮化镓(GaN)外延薄膜。双晶X射线衍射测量表明GaN(0002)衍射峰的半高宽为54弧分,表明GaN中存在严重的马赛克结构。...
- 刘祥林汪连山陈振袁海荣陆大成王晓晖汪度
- 关键词：GANSI衬底MOVPE
- 文献传递
- 铟镓氮薄膜的MOCVD生长
- 运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值波长在360～555nm范围内变化;在光致激发下该薄膜实现了带边发光,但发光强度随着铟含...
- 韩培德陈振李昱峰刘祥林王晓晖袁海荣陆沅汪度陆大成
- 关键词：铟镓氮MOCVD晶体生长金属有机物气相外延
- 文献传递
- 工业化生产硅太阳电池的特性分析被引量：8
- 1998年
- 分析了工业化生产的硅太阳电池中，影响其短路电流、开路电压和填充因子等光电特性的因素及改善方法。
- 陈庭金袁海荣汪义川许开芳
- 关键词：硅太阳电池特性分析短路电流填充因子
