袁海荣
- 作品数：37 被引量：70H指数：5
- 供职机构：云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- MgF2/ZnS双层减反射膜的研制
- 制作减反射膜是增加光的入射,从而提高太阳电池的光生电流和效率的常用方法。 减反射膜的基本原理是利用光波在减反射膜上下表面反射所产生的光程差使得两束反射光干涉相消,从而减弱反射,提高光的入射。在太阳电池材料和入射光谱确定的...
- 常秀兰向贤碧袁海荣
- 文献传递
- 关于“对GaAlAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法”的评论——同鞠定德先生商榷被引量：1
- 1997年
- 本文认为《云南师范大学学报》自然科学版，Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ３（１９９４．９）中“对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池结构的一点新看法”一文提出的“新看法”是错误的。
- 陈庭金涂洁磊袁海荣
- 关键词：太阳能电池砷化镓
- 硅衬底上生长氮化镓外延材料的研究
- 用水平低压金属有机物气相外延(MOVPE)方法,在硅(Si)衬底和γ-AlO复合衬底上,生长了氮化镓(GaN)外延薄膜。双晶X射线衍射测量表明GaN(0002)衍射峰的半高宽为54弧分,表明GaN中存在严重的马赛克结构。...
- 刘祥林汪连山陈振袁海荣陆大成王晓晖汪度
- 关键词：GANSI衬底MOVPE
- 文献传递
- 铟镓氮薄膜的MOCVD生长
- 运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值波长在360～555nm范围内变化;在光致激发下该薄膜实现了带边发光,但发光强度随着铟含...
- 韩培德陈振李昱峰刘祥林王晓晖袁海荣陆沅汪度陆大成
- 关键词：铟镓氮MOCVD晶体生长金属有机物气相外延
- 文献传递
- 工业化生产硅太阳电池的特性分析被引量：8
- 1998年
- 分析了工业化生产的硅太阳电池中，影响其短路电流、开路电压和填充因子等光电特性的因素及改善方法。
- 陈庭金袁海荣汪义川许开芳
- 关键词：硅太阳电池特性分析短路电流填充因子
- InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管被引量：3
- 2000年
- 采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流的关系 .室温 2 0 m A的注入电流时 ,发光波长峰值为 530 nm,半高宽为 30 nm.注入电流小于 40 m A时 。
- 王晓晖刘祥林陆大成袁海荣韩培德汪度
- 关键词：单量子阱氮化镓发光二极管
- 利用界面固定负电荷在MIP-Al_xGa_(1-x)As中构造感应势的理论计算及其太阳电池的实验研究
- 2004年
- 介绍利用界面固定负电荷在MIP-AlxGa1-xAs中产生的感应势,并用于提高Al1-xGaxAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想。提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法。报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlxCa1-xA5中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值。文中还报道了基于这种思想所研制太阳电池的实验结果。
- 袁海荣陈庭金涂洁磊王履芳
- 关键词：ALGAAS势垒泊松方程
- 铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5
- 2002年
- 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着
- 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE光电特性
- MI-Al_xGa(1-x)As/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析被引量：1
- 2002年
- 在MIp AlxGa1 xAs结构的I层表面上 ,引入固定负电荷 ,并用减反射膜覆盖 ,将p Al1 xGaxAs层中的空穴感应至界面 ,可建立界面电子感应势垒 ,并将其构成MIp AlxGa1 xAs/p n n+ GaAs太阳电池。通过求解泊松方程 ,理论上分析了界面感应势的高度、宽度与 p AlxGa1 xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系 ,以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响。结果表明 ,p AlxGa1 xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高 ,都将导致界面感应势的高度与宽度的增加 ,从而能有效降低电池界面复合速度几个量级 。
- 涂洁磊林理彬陈庭金袁海荣
- 关键词：固定负电荷开路电压
- 利用掺In改善初期生长GaN的形貌及光学性质
- 为了研究掺In对初期生长GaN的影响,我们采用3min短时间生长掺In及不掺In样品对照。生长在低压金属有机物气相外延系统中进行。原子力显微镜观察揭示掺In改变了晶核的形貌,原子力显微镜及光透射实验表明掺In促进了缓冲层...
- 袁海荣陆大成刘祥林陈振王晓晖韩培德汪度
- 关键词：GAN形貌光学性质
- 文献传递
