邢军亮
- 作品数：25 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层...
- 邢军亮张宇王国伟王娟王丽娟任正伟徐应强牛智川
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- 锑化物低维结构半导体材料与器件研究进展
- 锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非常适合于制造红外光电器件和高速电子器...
- 牛智川徐应强王国伟张宇任正伟王娟邢军亮蒋洞微向伟
- Sb化物半导体带间级联激光器有源区结构设计与光谱表征
- 3-5μm红外波段光发射器件可广泛应用于气体探测,红外对抗等众多方面.带间级联激光器(Interband Cascade Lasers,ICL)作为一种新型的激光器,工作波长可覆盖3-5μm波段.
- 邢军亮张宇徐应强王国伟王娟向伟牛智川
- 3μm以上中红外InGaAsSb/AlGAInAsSb量子阱分子束外延生长
- 锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时在此波段激光在空气散射相对比较低,因而锑化物量子阱发光器件可以广泛应用于环境监测、生物医学、泄...
- 邢军亮张宇王国伟王娟向伟任正伟徐应强牛智川
- 关键词：分子束外延生长
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- 短波红外InAs/GaSb超晶格的Varshni参数
- InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际上公认的制备第三代高性能红外...
- 向伟王国伟蒋洞微徐应强王娟邢军亮牛智川
- 关键词：超晶格材料砷化铟锑化镓
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- 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
- 本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源...
- 张宇邢军亮徐应强任正伟牛智川
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- InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
- 本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法。该InAs/GaSb超晶格红外光电探测器包括：衬底；沉积于衬底上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层、n型电极接触层、势垒层、本征吸收层、p型电极...
- 蒋洞微向伟王娟邢军亮王国伟徐应强任正伟贺振宏牛智川
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- GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
- 本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
- 牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
- 关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
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- 中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究
- 针对超晶格材料在中长波段的材料结构特点并结合理论模拟结论，采用生长中断方法和迁移率增强(MEE)方法进行中长波段超晶格材料分子束外延的生长参数优化研究。超晶格材料经过湿法腐蚀微加工工艺和表面钝化工艺后，分别制备了中波段和...
- 王国伟王娟邢军亮徐应强任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：红外探测器超晶格材料分子束外延
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- 分子束外延生长高空穴迁移率InGaSb/AlGaSb量子阱
- 高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用.近年来,Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代高速低功耗器件的热门材料.
- 王娟邢军亮向伟王国伟任正伟徐应强贺振宏牛智川
