郁伟中
- 作品数：41 被引量：58H指数：4
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金清华大学理学院基金清华大学基础研究基金资助更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
- 用正电子湮没多普勒增宽谱测量金属中电子的费米能级
- 郁伟中
- 关键词：正电子湮没费米能级
- 用正电子湮没寿命谱仪和扫描隧道显微镜研究固体中微小缺陷
- 在清华大学物理系的诺贝尔奖物理实验室,我们新开了用正电子湮没寿命谱仪和扫描隧道显微镜研究固体中微小缺陷等高等物理实验。我校的高等物理实验面对4年级学生和研究生,原有的普通物理实验和近代物理实验已经不能满足专业要求,为此我...
- 郁伟中
- 文献传递
- 用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率被引量：1
- 1998年
- 用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料中的迁移率。讨论了正电子有效质量。
- 郁伟中杨鹏远杨劲辉李兴中
- 关键词：蒙特卡洛法砷化镓半导体
- 甲基两烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物/梯形聚苯基硅倍半氧烷原位共混物的正电子寿命谱研究
- 1998年
- 用正电子湮没技术研究了甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酸共聚物（Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ））／梯形聚苯基硅倍半氧烷（ＰＰＳＱ）原位共混体系的自由体积孔穴尺寸及浓度与其组成的关系。具有两种不同配比的该共混物的正电子寿命温度谱表明：该共混物有两种结构转变，即：Ｔｂ、Ｔｇ，因含５％ＰＰＳＱ的共混试样Ｃ５中的自由体积分数较大，其Ｔｐ、Ｔ均小于含１％ＰＰＳＱ的共混试样．Ｃ１。研究了热历史对Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ）／梯形ＰＰＳＱ共混物结构的影响。
- 李桂芝叶美玲施良和施良和
- 关键词：共混物正电子寿命谱共聚物
- 室温下GaAs中正电子迁移率的测量被引量：2
- 1993年
- 用正电子湮没寿命谱方法测量了GaAs中的正电子迁移率,在低电场(小于300Vcm^(-1))和室温294K条件下测得μ_+=880±40cm^2V^(-1)s^(-1)。
- 郁伟中翁自立蒋清明曹必松徐湛
- 关键词：正电子迁移率砷化镓
- 基于正电子和反氢的反物质研究进展
- 物质中每个粒子都有对应反物质中的反粒子。正电子是电子的反粒子，它的质量、电荷量均与电子相同，但它带正电荷，是人类最早认识的反粒子。正电子素(PS)是由正电子和电子组成，它的反粒子是它自己本身。物质是由分子和原子组成，原子...
- 吴奕初郁伟中
- 正电子湮没中的磁猝灭理论
- 正电子湮没是研究材料的微缺陷和相变的灵敏工具,本文将分析无任何化学反应的静磁场之下用2γ和3γ探测得到的正电子寿命谱.
- 郁伟中
- 关键词：正电子湮没静磁场
- 文献传递
- 热塑弹性体SEBS中溶剂影响的正电子谱学研究
- 三嵌段共聚物SEBS是一种多用途的新型热塑弹性体.它是热塑性嵌段共聚物SBS分子中橡胶段聚丁二烯不饱和双键经过选择加氢而制得的新型改性弹性体.具有更优良的稳定性,使用中具有较好的耐磨性和柔韧性.嵌段共聚物中由于微相分离的...
- 郁伟中袁佳平沈静姝
- 关键词：正电子湮没技术自由体积
- 文献传递
- 一种新的灵敏核探针——慢正电子束流装置被引量：4
- 2000年
- 简要介绍了广泛应用于表面科学的灵敏核探针——慢正电子束设备的原理、构造和应用 ,阐述了北京慢正电子束流装置的设计原理和性能 ,讨论了北京慢正电子束流装置今后的研究前景 .
- 魏龙陈红民于润升王宝义张天保郁伟中何元金王天民
- 关键词：正电子湮没加速器
- 用正电子湮灭技术研究深冲钢板不同应变路径中的位错密度
- 1990年
- 本文应用正电子湮灭多普勒增宽测量技术研究了深冲钢板在单向拉伸、平面应变和等双向拉伸变形条件下的位错密度变化规律。结果表明:当等效应变从0.02增加到0.82时,位错密度从2.0×10~9 cm^(-2)增加到5.34×10^(11)cm^(-2),当变形路径不同时,位误密度的增长速度也不同。
- 康永林王先进郁伟中
- 关键词：正电子湮灭深冲钢板位错密度
