郑严艳
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
- 供职机构：景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金江西省重点攻关项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- (1-x)K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_(3-x)SrTiO_3无铅压电陶瓷性能研究被引量：1
- 2008年
- 采用传统固相法对(1-x)K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O.3压电陶瓷进行了钛酸锶掺杂改性研究。使用XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电、介电性能等进行表征。研究结果表明,随着SrTiO_3加入量的增大,材料的居里温度和压电性能逐渐下降,材料的介电温度峰形逐渐变宽,出现弛豫现象:陶瓷烧结性能改善,致密度增加。
- 刘利华江向平江福兰郑严艳
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能
- LixNa(0.52-x)K0.48NbO3无铅压电陶瓷性能研究
- 本文采用普通的固相烧结方法制备了LixNa(0.52-x)K0.48NbO3无铅压电陶瓷，研究了陶瓷的显微结构及压电性能。随着Li含量的增加陶瓷烧结温度降低，相结构逐渐由正交相向四方相转变。在x=0.05时，压电常数d3...
- 刘利华江福兰郑严艳江向平
- 关键词：压电陶瓷陶瓷结构固相烧结介电损耗
- 文献传递
- 硼酸、氧化钙合成四水六硼酸钙的工艺参数研究与性能表征被引量：6
- 2007年
- 以CaO-B2O3-H2O系统为研究体系,用硼酸和氧化钙做起始原料,采用湿化学合成法制备了四水六硼酸钙粉料。研究了起始原料浓度、系统的pH值对四水六硼酸钙合成的影响,用DTA、XRD、TEM、FESEM、化学分析等研究了合成工艺过程,并对合成产物进行了定性定量分析。结果表明:氧化钙与硼酸的摩尔比在(0.09～0.15):1范围,硼酸与水的摩尔比在(0.3～0.45):1范围,以氨水为添加剂调节pH值为7,反应温度为90～100℃时将生成四水六硼酸钙。TEM观察发现多数晶体呈片状、条状,有些呈准六方晶片聚集状,颗粒大小多数在0.2～0.3μm之间;用FESEM观察可看到这些晶片自发排列成球形的晶蔟。
- 曹春娥卢希龙余峰沈华荣熊春华郑严艳曹惠峰郑乃章
- 关键词：硼酸钙PH值添加剂
- BaZr_(0.35)Ti_(0.65)O_3陶瓷的弛豫特性及可调性
- 2008年
- 采用固相法制备了BaZr0.35Ti0.65O3(BZT35)陶瓷。研究了它的弛豫性相变。样品在100 Hz^100 kHz下的介电温谱显示宽化的介电峰值温度,随着频率的增加向高温方向移动,表明了该样品的弛豫特性。弛豫指数(γ)和峰宽化参数(Δ)可以通过对居里-外斯定律的进行线性拟合得到,1 kHz频率下,γ=1.91,Δ=44.9 K,表明样品具有很强的弛豫特性。利用Vogel-Fulcher公式对数据拟合进一步证实了样品的弛豫特性。研究表明,BZT35陶瓷具有巨大的可调性,可应用于可调电容器。
- 江向平江福兰李月明李龙珠郑严艳
- 关键词：介电性能
- Na<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>基无铅压电陶瓷的性能研究及其在滤波器上的应用
- 本论文研究了氧化物掺杂对（1-x）(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>)TiO<sub>3</sub>-x BaTiO<sub>3</sub>基无铅压电陶瓷压电，介电及铁电性能的影响。并采用...
- 郑严艳
- 关键词：无铅压电陶瓷电性能滤波器
- Li_xNa_(0.52-x)K_(0.48)NbO_3无铅压电陶瓷性能研究
- 2007年
- 采用普通的固相烧结方法制备了LixNa(0.52-x)K0.48NbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的显微结构及压电性能。随着Li含量的增加陶瓷烧结温度降低,相结构逐渐由正交相向四方相转变。在x=0.05时,压电常数d33达到117pc/N,平面机电耦合系数kp为36.4%,介电损耗tanδ为0.032。
- 刘利华江向平江福兰郑严艳
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能钙钛矿结构
- Mn掺杂(Na_(1-x)K_x)_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3性能研究及其在滤波器上的应用
- 2008年
- 研究了Mn掺杂对(Na_(1-x)K_x)_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷性能的影响,并利用该材料研制出中频无铅压电陶瓷滤波器。Mn掺杂改善了(Na_(0.8)K_(0.2))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3体系陶瓷的压电性能,当Mn含量达到0.3%(质量分数)时,d_(33)达到135 pC/N,k_p=31%,Q_m=183,适用于制作滤波器。采用厚度振动模式,制作出插入损耗为5 dB,中心频率为520 kHz,带宽大于10 kHz,阻带衰耗大于30 dB的中频无铅压电陶瓷滤波器。器件性能接近于同类含铅陶瓷中频滤波器(SFH系列)。
- 郑严艳江向平江福兰刘利华
- 关键词：无铅压电陶瓷MN掺杂滤波器
