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郭志超

作品数:8 被引量:14H指数:3
供职机构:云南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇纳米材料
  • 2篇电沉积
  • 2篇电化学
  • 2篇阳极
  • 2篇直流电沉积
  • 2篇能态
  • 2篇子线
  • 2篇量子
  • 2篇量子线
  • 2篇AAO
  • 2篇波函数
  • 1篇低维纳米
  • 1篇低维纳米材料
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电子能态
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌表征
  • 1篇性能研究
  • 1篇阳极氧化

机构

  • 8篇云南大学
  • 1篇娄底职业技术...

作者

  • 8篇郭志超
  • 6篇王光灿
  • 6篇曹胜男
  • 2篇王清理
  • 1篇张晋

传媒

  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇云南冶金
  • 1篇上海有色金属
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇云南民族大学...

年份

  • 1篇2008
  • 7篇2007
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料被引量:3
2007年
用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板。以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线。SPM、TEM测试表明,模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列。ZnSe纳米线的直径约为60nm,长度约为0.5μm并与模板的孔径和深度一致。在制备过程中,无需去除AAO的基底,喷金或预镀金属等处理,直接在AAO纳米孔内电沉积,制备纳米线。该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列。
曹胜男郭志超王光灿
关键词:半导体技术直流电沉积
电子在圆柱形半导体量子线中的行为研究被引量:3
2007年
用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子的能态、能级图和波函数。在确定温度条件下,讨论了量子线的线宽与它的光谱蓝移、能级分离或兼并以及电子能态的关系。
郭志超王光灿曹胜男
关键词:波函数能态
模板法制备纳米材料阵列及量子线物理基本性能研究
低维材料,如纳米点和纳米线具有宏观材料所不具备的表面效应、体积效应、量子尺寸效应和量子隧道效应,它们在微电子、纳电子、量子信息存储、量子光电器件等方面具有广阔的应用前景。模板法是制备低维纳米阵列材料的一种重要的方法,本论...
郭志超
关键词:纳米材料模板法电化学沉积溶胶凝胶法
文献传递
低维纳米材料的制备方法与金属纳米材料被引量:2
2007年
纳米材料的纳米晶粒和高浓度晶界特征以及由此而产生的小尺寸量子效应和晶界效应,使其具有特殊的力、电、磁、声、光等性能。晶粒尺度在1~100nm范围内的金属纳米材料具有强度、硬度高,韧性好、损耗低,比热高,磁化率高、矫顽力高等特性,是具有广阔应用前景的新型材料。综述了目前国内外低维纳米材料的制备方法、表征技术和研究成果,并对这些方法和成果进行了比较研究,着重介绍用这些方法所制备的金属纳米材料及其在科学领域中的应用。
曹胜男郭志超王光灿
关键词:低维纳米材料金属纳米材料
圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态
2007年
半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.
郭志超曹胜男王清理
关键词:波函数电子能态
硅基铂钛夹层AAO多孔模版制备半导体量子线被引量:2
2007年
制备一种新型硅基铂钛夹层AAO模版,并用这种模版制备量子线阵列。在硅基上依次用电子束蒸镀铂膜、钛膜和铝层,把在草酸溶液中阳极氧化制备AAO模版的方法,移植到制备这种模版中。再用这种模版直流电沉积制备了ZnSe半导体量子线阵列。SPM表征出相当好的结果,模版孔径和量子线大小一致,且分布均匀。这种模版底层的铂膜提供了量子线的一个电极,基底硅为纳米器件集成提供了平台。
郭志超王光灿王清理张晋
关键词:阳极氧化模版量子线
高纯铝制备AAO多孔模板与形貌表征被引量:1
2007年
用二次阳极氧化法制备AAO多孔氧化铝模板,并对氧化铝模板进行了检测。结果表明,用二次阳极氧化法制备的氧化铝模板均匀有序性较好,可作为下一步制作量子点、量子线的模板。
郭志超王光灿曹胜男
关键词:量子线量子点
电化学沉积制备一维ZnSe纳米材料被引量:3
2007年
在草酸溶液中,采用二次阳极氧化法得到了多孔阳极氧化铝膜(AAO).以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积,在孔内组装ZnSe半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均匀,直径约为60 nm,长度约为0.5μm的纳米线,与模板的孔径一致.在制备过程中,无需对模板进行去除阻挡层,喷金或预镀金属等处理过程,是直接在纳米孔内电沉积,形成半导体纳米线阵列.此方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体的一维纳米材料.SPM、TEM测试结果表明,纳米线为六方晶型结构.
曹胜男郭志超王光灿
关键词:直流电沉积纳米线
共1页<1>
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