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离子注入形成YSi_2埋层的电镜研究: 1996年; 本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ_２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ_２埋层的形成及ＹＳｉ_２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ_２埋层以“［００１］ＹＳｉ_２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ_２不存在空位有序结构。; 金星宫泽祥李晓娜马腾才杨大智张泽; 关键词：离子注入硅化物埋层电子显微镜集成电路

AlAs/GaAs,AlAs/Si/GaAs异质结果界结构的电镜研究: 1993年; 原子层掺杂(Atomic Layer Doping)可以在二极管结构中产生一种内部势垒,从而控制半导体的某些电学性能。本工作就是在GaAs衬底上MBE生长AlAs和Si。在测试过程中,我们采用大角度会聚束电子衍射(简称LACBED)和高分辨像(HREM)研究AlAs/GaAs,AlAs/Si/GaAs的界面结构及失配能力。; 金星陈中圭王风莲; 关键词：半导体砷化铝砷化镓电子显微镜

离子束合成TiSi_2薄膜及显微结构的研究: 1996年; 本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:[121]_(TiSi)_2∥[110]_(Si),(111)_(TiSi)_2∥(111)_(Si)。; 金星宫泽祥李晓娜马腾才杨大智Mark Aindow; 关键词：离子注入金属硅化物电子显微学

离子注入合成β-FeSi_2薄膜的显微结构被引量：13: 2002年; 采用MEVVA源 (MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成 β FeSi2 薄膜 ,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下 β FeSi2 薄膜的显微结构变化 .研究结果表明 :调整注入能量和剂量 ,可以得到厚度不同的β FeSi2 表面层和埋入层 .制备过程中生成的α ,β ,γ和CsCl型FeSi2 相的相变顺序为γ FeSi2 →β FeSi2 →α FeSi2 ,CsCl FeSi2 →β FeSi2 →α FeSi2 或 β FeSi2 →α FeSi2 .当注入参数增加到 60kV ,4× 10 1 7ions cm2 ,就会导致非晶的形成 ,非晶在退火后会晶化为 β FeSi2 相 ,相变顺序就变为非晶→β FeSi2 →α FeSi2 .随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大 ,并向基体内部生长 ,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状 ,使得硅化物硅界面平整度下降 .另外 ,对于 β FeSi2 Si界面取向关系的研究表明 ,在Si基体上难以形成高质量 β FeSi2 薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存。; 李晓娜聂冬董闯马腾才金星张泽; 关键词：Β-FESI2 半导体薄膜金属硅化物透射电子显微镜显微结构

离子注入法(IBS)合成新FeSi_2相的显微结构研究: 1997年; 本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＦｅＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＦｅＳｉ２相，这种相的晶格参数与已知的β－ＦｅＳｉ２相相似，但是它的点群和空间群分别为ｍｍｍ和Ｐｂｃａ。; 金星李晓娜张泽董闯宫泽祥马腾才; 关键词：离子注入金属硅化物电子显微学

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异: 1997年; ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层上生长ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ超晶格（ｘ＜ｙ）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于ＭａｔｈｅｗｓＢｌａｋｅｓｌｅｅ（ＭＢ）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现，ＧａＡｓ／ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ界面铟组分过渡区比ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ界面铟组分过渡区窄；ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ合金阱层中，靠近ＧａＡｓ／ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ界面一端的铟组分更大．用ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ合金层中铟的分凝理论解释了超晶格中铟组分的分布特征．透射电子显微镜观察表明，ＧａＡｓ／ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ界面比ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ界面平整．提出一种新的弛豫机制来解释压缩应变和伸张应变的不同，对两个界面特性的差异也给予解释．; 王小军金星张子平郑联喜肖智博肖智博王启明; 关键词：超晶格砷化镓铟镓砷半导体

锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究: 1996年; 使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理．; 邹赫麟李建军魏希文金星王德和张翔九卢学坤蒋最敏王迅; 关键词：分子束外延锗硅合金电镜

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