阮学忠
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质
- 2009年
- 建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.
- 杨威姬扬罗海辉阮学忠王玮竹赵建华
- 关键词：自旋电子学稀磁半导体
- GaAs基半导体中自旋动力学的实验研究
- 因为在信息的存储、处理和传输领域的巨大应用前景，自旋电子学在近年来受到学术界和工业界的强烈关注。实现自旋电子学器件的一个关键因素是，找到具有长自旋寿命和长自旋输运距离的半导体材料，因此有必要深入理解半导体中的自旋弛豫机制...
- 阮学忠
- 关键词：GAAS
- InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究被引量：1
- 2007年
- 利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层InAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAs单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的.
- 孙征徐仲英阮学忠姬扬孙宝权倪海桥
- 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
- 2008年
- 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
- 周蓉孙宝权阮学忠甘华东姬扬王玮竹赵建华
- 关键词：ZEEMAN效应
- 电子间相互作用对电子自旋驰豫过程的影响
- ＜正＞为了实现集信息处理、存储、传输等功能于一身的自旋电子器件,深入理解半导体材料中电子自旋的相干演化和弛豫过程是不可或缺的。关于电子自旋的退相干机制的研究已经很多了,但是,电子间的相互作用对其自旋驰豫过程是否有影响还没...
- 阮学忠罗海辉姬扬孙宝权徐仲英V.Umansky
- 文献传递
- 电子自旋横向驰豫时间随磁场的非平凡变化
- ＜正＞二维电子气系统中电子有着丰富的自旋动力学行为,对它的深入研究可能发现新奇的物理现象、揭示深刻的物理规律,为未来电子自旋器件的实际应用提供更大的选择空间。自旋极化的电子在外加磁场的作用下会发生 Lamor 进动,无相...
- 阮学忠罗海辉姬扬孙宝权徐仲英V.Umansky
- 文献传递
