陆昉
- 作品数：45 被引量：242H指数：5
- 供职机构：复旦大学物理学系更多>>
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- 相关领域：电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>
- 用导纳谱研究锗量子点的能级结构
- 1998年
- 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。
- 张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉
- 关键词：量子点锗能级结构
- 锗硅双层量子点耦合效应的研究
- ＜正＞双层量子点之间的耦合效应强烈的依赖于间隔层的厚度。当两层量子点的间隔层很小时,载流子的波函数相互重叠产生较强的耦合作用,使得两层量子点耦合为一体,相当于量子点的尺寸增大, 与此相关的限制效应及库仑荷电效应将会有所下...
- 原凤英蒋最敏陆昉
- 关键词：量子点量子限制效应锗硅
- 文献传递
- 磁控溅射中靶-基底距离与Si共掺对ZnO:Al薄膜性质的影响(英文)被引量：5
- 2011年
- 使用射频磁控溅射,在正方形石英衬底上沉积透明导电掺Al的ZnO(AZO)和Si共掺AZO(AZO:Si)薄膜.系统研究了靶-基底距离(Dst)和Si共掺对AZO薄膜电学、光学性质的影响.电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于靶-基底距离,随着靶-基底距离的减少,载流子浓度和迁移率都有显著的增加,电导率也随之提高.在靶-基底距离为4.5cm处,得到最低电阻率4.94×10-4Ω·cm,此时的载流子浓度和迁移率分别是3.75×1020cm-3和33.7cm2·V-1·s-1.X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和边界散射模型被用于分析载流子浓度、迁移率和靶-基底距离的关系.透射谱显示,在可见-近红外范围内所有样品均有大于93%的平均透射率,同时随着靶基距离的减少,吸收边蓝移.AZO:Si表现出可与AZO相比拟的高电导和高透射光学特性,但在热湿环境中却有着更好的电阻稳定性,这在实际使用中很有意义.
- 徐浩陆昉傅正文
- 关键词：AZO射频磁控溅射
- MOOC3.0:朝向大学本体的教学改革被引量：83
- 2014年
- 全球范围内对MOOCs逐渐趋于理性,本文对MOOCs对于发展中国家的大学的意义作了冷静的思考。MOOCs风靡的背后有其深远的时代性需求,发展中国家的大学不应该简单对待MOOCs,冷眼旁观与"拿来主义"都不可取,而是应当在分析研究MOOCs过程中认清时代使命、反思教学本然的价值、变革教学观念,顺应MOOC 3.0的思路,将开放教育资源与传统课堂创造性地结合起来,推进传统教学模式的革新,使相对陈旧的大学课堂真正跨入信息时代。
- 郑雅君陆昉
- 关键词：教学改革
- PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质被引量：1
- 1992年
- 本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.
- 龚大卫陆昉孙恒慧
- 关键词：SI-GAAS深能级
- 光生电压谱方法对Znse/GaAs异质结导带偏移的研究被引量：1
- 1997年
- 实验采用光生电压谱方法对Znse／GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察．在光子能量略低于GaAs带边的地方，光生电压谱出现了一个峰．通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至Znse导带底的过程，表明znse／GaAs异质结的能带排列属于错开型．并得出在温度小于70K的低温下Zns／GaAs异质结导带偏移植为150meV±10meV．
- 谌达宇王建宝靳彩霞陆昉
- 关键词：异质结硒化锌砷化镓
- 存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
- 1997年
- 提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0．51eV．
- 张胜坤陆昉陈溪滢孙恒慧
- 关键词：异质结界面态密度
- 快速热退火在硅中引入的缺陷的研究被引量：2
- 1990年
- 快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。
- 陆昉陆峰孙恒慧邬建根
- 关键词：硅热退火深能级载流子寿命
- 低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究
- 1992年
- 本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。
- 李晓雷陆昉孙恒慧黄庆红
- 关键词：磷离子注入退火硅
- 锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
- 1995年
- 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭．
- 王勤华陆昉龚大卫王建宝孙恒慧
- 关键词：锗硅合金半导体
