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陈佩赓

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:北京师范大学物理学系更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 2篇导体
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 1篇电沉积
  • 1篇多层纳米线
  • 1篇直流电沉积
  • 1篇ZN
  • 1篇AAO
  • 1篇AAO模板
  • 1篇I-V特征
  • 1篇MN
  • 1篇CD
  • 1篇S-

机构

  • 4篇北京师范大学

作者

  • 4篇陈佩赓
  • 2篇高有辉
  • 1篇李永良
  • 1篇郭文安
  • 1篇孙玲伟

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Cd1-xMnxS稀磁半导体纳米线的制备和研究
2010年
采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构,而且沿002方向有择优取向性,没有发现其它含Mn的化合物生成。从ZFC/FC曲线看出样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异现象。45K和300K下测量的的M-H曲线显示磁滞现象,测得的矫顽力分别是300Oe和100Oe,说明样品具有铁磁性。样品的紫外-可见光反射谱显示Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大。掺杂度在1%处能隙有最小值。
陈佩赓孙玲伟高有辉
关键词:AAO模板
Cd_(0.96)Zn_(0.04)S/Cd_(0.97)Mn_(0.03)S/Cd_(0.96)Zn_(0.04)S多层纳米线中s-d交换作用的研究
2014年
以氧化铝纳米孔为模板,采用直流电化学沉积的方法制备了Cd_(0.96)Zn_(0.04)S/Cd_(0.97)Mn_(0.03)S/Cd_(0.96)Zn_(0.04)S量子阱纳米线阵列,并系统研究了该纳米线阵列在不同温度和不同磁场下的电学输运特性.随着外磁场的变化,样品表现出共振传输特性.通过量子阱理论对实验现象进行了分析,直接得到了稀磁层Cd_(0.97)Mn_(0.03)S中s-d交换作用常数N_0α的定量结果.研究发现该交换作用常数随温度具有e^(-1/T)的变化趋势.
陈佩赓鲁家导郭文安李永良高有辉
Cd0.93Zn0.07S/Cd0.94Mn0.06S/Cd0.93Zn0.07S纳米线的制备与研究
维半导体纳米材料为基本单元构筑纳米激光器、纳米传感器等纳米器件,已成为目前纳米领域的研究热点.一维半导体纳米材料的特性对纳米器件的最终性能具有决定性影响,因而对一维纳米线电子输运特性的研究无论从手段上还是从性能优化上都显...
陈佩赓
关键词:AAO纳米线I-V特征
Cd1-0.07Zn0.07S/Cd1-0.06Mn0.06S/Cd1-0.07Zn0.07S稀磁半导体纳米线
稀磁半导体是一种重要的兼具磁性与半导体的材料,其物理学方面如光电磁等领域具有很多特殊效应,对稀磁半导体的研究我们可以得到很多多功能器件,目前大规模集成电路的尺寸越来越小,已达到几十纳米的尺度,电子的输运已成为重要的研究方...
陈佩赓
关键词:纳米线直流电沉积稀磁半导体
共1页<1>
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