高松波
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 光刻分辨率增强技术研究
- 根据最新的国际半导体技术路径图(ITRS)，浸没式ArF(氟化氩)光刻是实现特征尺寸(CD，Critical dimension)45nm及以下技术节点最有潜力的候选技术之一。浸没式ArF光刻虽然可以使数值孔径(NA，N...
- 高松波
- 关键词：半导体技术分辨率增强光刻仿真抗蚀剂集成电路
- 一种光刻系统掩模邻近效应校正方法
- 一种光刻系统掩模邻近效应校正方法，首先找出硅片上最终图形与掩模设计图形相比较的失真之处，根据失真图形的位置，在掩模图形的相应位置，根据邻近效应校正的方法对掩模图形进行预先分割和添加：在X和Y向图形对接处，添加衬线，并在衬...
- 高松波李艳秋
- 文献传递
- 45nm分辨率增强技术优化被引量：1
- 2008年
- 针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案。采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、衰减式相移掩模及传统二元掩模进行分析,探讨了45nm节点不同周期图形的可实现性。通过优化光源参数,采用Y偏振,对比不同分辨率增强技术的组合,得出结论,采用双弧带照明,对于Y向Line/Spcae图形,其焦深,对比度等参数均可满足45 nm节点需要。最后通过双底层抗反射层(DBARC)优化,减小了底层反射率,有效地降低了摇摆效应,提高了Z向图形保真度。
- 高松波李艳秋
- 关键词：分辨率增强技术离轴照明相移掩模偏振
- 一种光刻系统掩模邻近效应校正方法
- 一种光刻系统掩模邻近效应校正方法，首先找出硅片上最终图形与掩模设计图形相比较的失真之处，根据失真图形的位置，在掩模图形的相应位置，根据邻近效应校正的方法对掩模图形进行预先分割和添加：在X和Y向图形对接处，添加衬线，并在衬...
- 高松波李艳秋
- 文献传递
