高盼盼
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 生产者责任延伸理论的再延伸研究
- 工业革命带来生产力的提高使经济得到迅速发展，人们进入高生产、高消费、高浪费、高污染的快节奏的生产生活方式，导致环境污染，大量资源匮乏。资源匮乏将成为我国工业化进程的瓶颈，发展以资源再利用为核心的循环经济是我国走可持续发展...
- 高盼盼
- 关键词：循环经济资源利用环境保护
- 用于纳米集成电路可制造性设计的测试结构版图生成器设计
- 集成电路工艺达到超深亚微米与纳米技术节点，工艺变异降低器件与互连参数的精确性，影响集成电路性能与成品率。采用测试结构版图自动生成的方法，可以快速高效地生成针对集成电路工艺变异及其对器件与互连参数的影响这一研究过程中所需的...
- 高盼盼
- 关键词：纳米集成电路
- 文献传递
- VLSI的电镀和化学机械抛光技术
- 2009年
- 从0.13μm工艺节点开始,铜电镀(ECP)和化学机械抛光技术(CMP)成为VLSI(超大规模集成电路)多层铜互连布线制备中不可缺少的工艺。铜CMP后的碟型、侵蚀等平坦性缺陷将使芯片表面厚度不均匀,形成互连RC延迟,影响芯片性能和良率;研究发现,铜CMP后的厚度变异不只受CMP影响,还受ECP后芯片厚度影响;文章介绍了ECP、CMP对铜CMP后厚度影响的实验研究,针对CMP后厚度不均匀性的解决方法,着重分析了基于可制造性设计的电镀和化学机械抛光技术,如基于设计规则、电镀和化学机械抛光模型的金属填充等。
- 唐海霞叶兵高盼盼廖军和
- 关键词：电镀化学机械抛光
- 超深亚微米集成电路互连线几何变异提取方法被引量：1
- 2009年
- 硅片上互连线几何变异提取对于超深亚微米工艺节点下集成电路可制造性设计研究开发极其关键。这里基于电阻和电容等电学测试结构相应的数学计算公式,阐述进行互连线几何变异提取的方法,分析所采用的测试结构与计算公式的可行性,讨论误差来源,提出仿真工作与测试芯片设计原则。目的在于解决工艺建模与寄生参数建模过程中电阻和电容变异之间紧密的空间相关性,从而易于建立用于集成电路参数成品率评估计算的可制造性设计模型。
- 高盼盼叶兵
- 关键词：互连线可制造性设计参数成品率
