魏俊红
- 作品数：10 被引量：19H指数：3
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术自然科学总论更多>>
- 等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响被引量：2
- 2004年
- 采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
- 魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐王照奎余楚迎
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响被引量：2
- 2004年
- 以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 。
- 王照奎林璇英林揆训邱桂明祝祖送黄锐魏俊红
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜电功率大尺寸晶粒尺寸
- 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制被引量：10
- 2004年
- 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：活性基团晶粒大小等离子体增强化学气相沉积工艺参数PECVD多晶硅薄膜
- 以SiCl4-H2为气源制备的多晶硅薄膜的结构特性
- 以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜。用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大。用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球...
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- 关键词：多晶硅薄膜低温晶化
- 文献传递
- 射频辉光放电SiCl/_4//H/_2等离子体的探针诊断
- 等离了体技术在微电子工业和半导体薄膜材料生长等方面有着广泛的应用。用等离
子体化学气相沉积/(PCVD/)技术制备的薄膜质量好,而且工艺成熟,适合大规模工业化生
产,因而成为工业化...
- 魏俊红
- 关键词：多晶硅薄膜PCVD
- 文献传递
- 调谐单探针研究等离子体电子特性
- 本文采用加热的调谐单探针研究了射频辉光放电等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统地分析了各工艺参量对于等离子体空间电子特性的影响。
- 魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐余楚迎
- 关键词：射频辉光放电等离子体
- 非晶硅氢合金薄膜叠层电池结构的计算机模拟
- 为了更好地利用太阳光谱,提高电池效率,可以在单结电池最佳设计的基础上采用叠层技术。本文对a-Si:H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。我们的计算表明,...
- 王红成林璇英曾晓华魏俊红黄锐
- 关键词：叠层太阳能电池能带隙
- 文献传递
- 氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响被引量：5
- 2006年
- 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由1·5eV减小至约1·2eV,而后增大至1·8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素.
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训祝祖送魏俊红
- 关键词：多晶硅薄膜微结构
- 以SiCl4-H2为源气体用PCVD方法低温快速生长晶化硅薄膜
- 以SiCl和H为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3(?)/s以上。本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响。
- 黄锐魏俊红林璇英余云鹏林揆训余楚迎
- 关键词：结晶度
- 文献传递
- 以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜被引量：3
- 2004年
- 报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大。通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1。
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- 关键词：多晶硅薄膜生长速率
