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黄炜

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇光电
  • 3篇光电流
  • 3篇光电流谱
  • 2篇谱表
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇光电响应
  • 2篇光谱
  • 2篇光谱表征
  • 1篇电路
  • 1篇电性质
  • 1篇液相外延
  • 1篇杂质能级
  • 1篇碲镉汞材料
  • 1篇吸收谱
  • 1篇截止波长
  • 1篇光电性质
  • 1篇非接触
  • 1篇半导体
  • 1篇A/D
  • 1篇A/D转换

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇黄炜
  • 3篇吕翔
  • 3篇越方禹
  • 3篇褚君浩
  • 3篇邵军
  • 2篇李宁
  • 1篇陆卫
  • 1篇何力
  • 1篇吴俊
  • 1篇杨建荣
  • 1篇魏彦峰
  • 1篇马丽丽

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇红外

年份

  • 4篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
多功能半导体光电性质测试电路的设计被引量：1
2007年
设计了一个多功能半导体光电性质测试电路。配合红外光谱仪,该电路能完成相应波段的光电流谱测试。设计还加入了交流信号发生器功能,可用于半导体弱电场调制反射光谱测试,具有很高的应用价值。该电路在为半导体样品提供低噪声、高稳定性的电学测试环境的同时,也具备友好的人机交互接口,可实时地对测试条件进行控制和监视。文章分析介绍了电路系统中各个模块的硬件结构,并对设计中应用的两个主要芯片及其与单片机的接口电路进行了详细描述.
黄炜越方禹马丽丽吕翔李宁邵军褚君浩
关键词：半导体光电流谱A/D转换DDS
一种可靠预测碲镉汞光电响应截止波长的非接触实验方法
一种可靠预测HgCdTe光电响应截止波长的非接触实验方法，系综合运用透射、光电流、光调制反射和光致发光多种光谱表征手段，对77K温度下材料的截止能量进行研究。结果表明：由于缺陷/杂质能级的存在，使传统的透射光谱不能准确预...
邵军吕翔陆卫吴俊越方禹黄炜李宁何力褚君浩
文献传递
变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级被引量：1
2007年
利用变温吸收谱(11—300K)对非故意掺杂液相外延Hg1-xCdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(<70K)出现的约7—20meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.
越方禹邵军魏彦峰吕翔黄炜杨建荣褚君浩
关键词：碲镉汞液相外延
碲镉汞材料的光谱表征方法研究
窄禁带碲镉汞(Hg1-xCdxTe，MCT)半导体是一种理想的红外辐射探测材料，在红外探测器和焦平面阵列方面具有重要的应用价值。本文围绕HgCdTe材料的光谱表征方法，对目前HgCdTe材料研究领域的两个问题(光电响应和...
黄炜
关键词：碲镉汞光电流谱光电响应
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