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于欣

作品数:25 被引量:33H指数:3
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金超高速专用集成电路重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 7篇RTD
  • 5篇隧穿
  • 5篇共振隧穿
  • 5篇共振隧穿二极...
  • 5篇二极管
  • 4篇负阻
  • 3篇振荡器
  • 3篇晶体管
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光学
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电子转移
  • 2篇调制器
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇生物柴油
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇十六烷值

机构

  • 18篇天津大学
  • 16篇天津工业大学
  • 2篇安徽工程科技...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 25篇于欣
  • 20篇郭维廉
  • 15篇牛萍娟
  • 12篇张世林
  • 10篇毛陆虹
  • 6篇谢生
  • 6篇陈燕
  • 6篇王伟
  • 5篇刘宏伟
  • 5篇梁惠来
  • 5篇杨广华
  • 4篇张彬
  • 3篇齐海涛
  • 3篇王小丽
  • 3篇李晓云
  • 3篇高铁成
  • 3篇王伟
  • 2篇陈丽然
  • 2篇李维尊
  • 2篇苗长云

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇Journa...
  • 2篇发光学报
  • 2篇天津大学学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 8篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量被引量:1
2008年
采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1~10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭
关键词:电子转移器件
共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量:1
2007年
综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟梁惠来张世林李建恒宋瑞良胡留长齐海涛毛陆虹
关键词:RTTI-V特性
低温等离子体-催化协同降解甲苯
室内空气质量越来越受到人们的关注,等离子体技术降解室内VOCs(Volatile Organic Compounds)是空气净化领域近几年兴起的一种新技术。但是现行的等离子体降解VOCs尚有成本高的缺点。本研究开发等离子...
于欣
关键词:低温等离子体甲苯有机物降解室内空气品质
文献传递
RTD与HBT单片集成研究
2005年
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。
胡海蓉牛萍娟刘宏伟郭维廉许丹于欣王文新尚勋忠吴曙东
关键词:共振隧穿二极管异质结双极晶体管单片集成
半导体环形激光器的非线性分岔动力学研究被引量:2
2010年
基于半导体环形激光器的电学双稳态行为的动力学模型,运用现代非线性动力学理论对其稳定性和分岔行为进行了分析和数值计算.结果表明,环形激光器中泵浦参数的变化可导致霍普夫分岔,产生极限环以至混沌等复杂的非线性运动.同时,计算了背散射参数变化对环形激光器工作分区的影响,计算表明在不同的工作区中环形激光器将呈现不同的非线性动力学行为包括分岔和混沌.从物理角度对引发这些复杂的非线性运动的原因进行了分析.结果和他人论文中的实验结果相一致.
张彬毛陆虹谢生张世林郭维廉陈燕于欣
关键词:环形激光器非线性动力学分岔混沌
共振隧穿二极管型光探测器和光调制器被引量:1
2008年
将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构——双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器。这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制器原有的功能,可用于光电集成电路。介绍了这种具有代表性的RTD型光电器件的工作原理、器件结构、制造工艺、器件参数测试等,为此类器件在国内的设计和研制奠定基础。
陈乃金郭维廉牛萍娟王伟于欣
关键词:共振隧穿二极管光电器件光探测器光调制器
RTD振荡特性的模拟与研究
2008年
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了 RTD 的连接器件对 RTD 特性的调制作用。研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD 结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对 RTD 特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大 RTD 在射频收发系统中的应用。
王伟牛萍娟郭维廉于欣杨广华李晓云
关键词:振荡器双稳特性
硅基环形电-光调制器的理论分析和性能优化被引量:2
2010年
对硅基环形电-光调制器的电学特性和光学特性进行了理论分析.给出环形电-光调制器的调制速率解析表达式.该表达式表明,环形调制器的光学谐振特性对于整个系统调制速率起重要的作用.分析得到调制速度和Q值及波导宽度的关系.并给出了定量的表达式,它可以用于器件特性的优化,同时从理论上指出该器件的理论极限调制速度大于10,GHz.
张彬毛陆虹谢生郭维廉陈燕于欣张世林
关键词:环形调制器调制速率
InP基低阈值单向双稳态工作微环激光器的设计与制备被引量:5
2011年
由于半导体微环激光器(SML)具有波长转换、可调谐和光学双稳态等特点,因此成为全光逻辑和全光存储领域的研究热点。在分析背散射耦合系数与SML工作区域(双向连续波、双向交替振荡和单向双稳态)的基础上,优化设计了环形谐振腔的结构参数和工艺流程,研制出一种低阈值、直接进入单向双稳态工作的InP基微环激光器。测试结果表明,激光器的中心激射波长为1569.65 nm,阈值电流为56 mA,当驱动电流超过阈值电流后,器件可不经过双向工作区直接进入单向双稳态,降低了双稳态工作的电流和功耗,非常适合用作光随机存储器单元。
谢生郭维廉李献杰齐利芳于欣于晋龙陈燕毛陆虹张世林谷晓吴波罗俊
关键词:激光器光学微腔低阈值磷化铟
由RTD/MOSFET构成的新型振荡电路被引量:1
2007年
基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性.该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题,如果进一步用高电子迁移率晶体管(HEMT)等高频、高速器件取代MOS-FET,可以在很大程度上提高这一电路的工作频率,并可实现RTD/HEMT的单片集成.因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景.
王伟牛萍娟郭维廉于欣张世林
关键词:振荡器
共3页<123>
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