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于浩

作品数：13 被引量：3H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇金属
  • 4篇存储器
  • 3篇微电子
  • 2篇低频
  • 2篇底电极
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电流开关
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇钉扎
  • 2篇信号
  • 2篇有机介质
  • 2篇自对准
  • 2篇细丝
  • 2篇漏电流
  • 2篇介质
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀技术
  • 2篇反向漏电

机构

  • 13篇复旦大学

作者

  • 13篇于浩
  • 10篇茹国平
  • 10篇李炳宗
  • 10篇屈新萍
  • 10篇蒋玉龙
  • 6篇张卫
  • 3篇王井舟
  • 2篇谢琦

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇1994
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制备可测量MOS电容器低频CV曲线的器件结构的方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，...
于浩蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
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一种工艺优化的金半接触结构的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为...
蒋玉龙于浩茹国平屈新萍李炳宗张卫
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具有尖峰状底电极的有机阻变存储器及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RR...
于浩王井舟蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
基于能量的声源目标定位与跟踪
随着无线通信、集成电路、传感器以及微机电系统（MEMS）等技术的飞速发展,无线传感器网络已逐渐成为研究的热点领域。传感器网络主要运用于军事,生态环境监测,基础设施安全,先进制造,物流管理,医疗健康,工业传感,智能交通控制...
于浩
关键词：无线传感器网络最大似然EM
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一种基于PEDOT:PSS的有机动态随机存储器及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于PEDOT：PSS材料的有机动态随机存储器及其制备方法。本发明通过在衬底材料上依次淀积底电极Au、介质层PEDOT：PSS以及顶电极Au，形成结构为Au/PEDOT:PSS/Au...
于浩蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗张卫
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金属半导体接触界面的调制研究
随着集成电路向着不断微缩化的方向发展，对具有高迁移率的半导体材料的研究日益密切。然而，由于工艺原理等方面的差异，新型高迁移率半导体材料的应用还存在着诸多困难，而金半接触结构即是诸多困难之一。因而，如何解决新型高迁移率半导...
于浩
关键词：半导体材料
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具有尖峰状底电极的有机阻变存储器的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RR...
于浩王井舟蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
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通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而...
于浩蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗张卫
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金属铜与镍硅化合物的的叠层接触结构及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采...
蒋玉龙于浩谢琦茹国平屈新萍李炳宗张卫
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江湖洲滩地区血吸虫病防治不同策略的费用—效果分析
于浩
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共2页<12>
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