您的位置： 专家智库 > >

付博

作品数：30 被引量：67H指数：4
供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 17篇电子电信
  • 11篇理学
  • 5篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇激光
  • 8篇铌酸锂
  • 7篇光学
  • 5篇晶体
  • 5篇光开关
  • 4篇电光
  • 4篇电光开关
  • 4篇铌酸锂晶体
  • 3篇全息
  • 3篇全息存储
  • 3篇紫外
  • 3篇挥发
  • 3篇飞秒
  • 3篇飞秒激光
  • 3篇掺杂
  • 2篇等离激元
  • 2篇低驱动电压
  • 2篇有机-无机
  • 2篇损伤阈值
  • 2篇驱动电压

机构

  • 21篇中国工程物理...
  • 9篇南开大学
  • 3篇四川大学
  • 2篇西南大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇枣庄学院
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 30篇付博
  • 11篇张大勇
  • 8篇罗飞
  • 7篇刘国栋
  • 6篇张国权
  • 6篇罗福
  • 6篇骆永全
  • 6篇申岩
  • 6篇许京军
  • 5篇李剑峰
  • 5篇王伟平
  • 5篇徐庆君
  • 5篇沈志学
  • 3篇张蓉竹
  • 3篇张翠娟
  • 3篇王贵兵
  • 3篇孔勇发
  • 3篇江继军
  • 2篇李阳龙
  • 2篇赵剑衡

传媒

  • 5篇应用激光
  • 4篇光学学报
  • 4篇强激光与粒子...
  • 2篇物理学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇应用光学
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇高能量密度物...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2014
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 30 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
宽谱光源对CMOS阵列电串扰的影响被引量：3
2017年
CMOS阵列探测器中,像素单元间的串扰会影响其成像质量。为了解不同光源对CMOS电串扰的影响,针对CMOS图像传感器的电串扰特性建立了一个分析模型,结合CMOS图像传感器的工作原理定量计算了单色光、宽谱光源入射条件下的电串扰特性。分析结果表明CMOS图像传感器的电串扰随单色光波长、宽谱光源谱宽和中心波长的增大而增大,但中心波长与单色光波长相同的宽谱光源,其对电串扰的影响大于单色光。辐照功率为600μW,单色光波长为1 064 nm,电串扰大小约为50.611 m V;宽谱光源中心波长为1 064 nm,谱宽为400 nm时,电串扰的大小约为50.914 m V,相比于单色光电串扰增加了约0.303 m V。
赖莉萍付博张蓉竹
关键词：阵列探测器CMOS图像传感器
光波相位耦合过程中的光速变化问题的研究
张国权薄方许京军高峰董嵘申岩付博车蔚玥
该课题主要研究光波非线性耦合过程中位相耦合过程的色散效应，发展相应的室温下固体介质中的光速调控技术。提出了利用光波位相耦合过程的色散效应调控光速的新机制。在固体中，在室温下实现了0.05m/s的极慢光和5.7m/s的超光...
关键词：
关键词：光波超光速色散
连续激光作用下滤光片熔坑形成机理研究被引量：4
2009年
在532nm波长连续激光辐照ZnS/SiO_2/K9 630～690nm多层膜滤光片的损伤实验的电镜扫描分析下观察到了"熔坑"的现象,根据这个现象建立了含有Pt杂质的532nm波长连续激光辐照ZnS/SiO_2/K9 630～690nm多层膜滤光片的热损伤模型。结合温度场的计算,研究了532nm连续激光辐照630～690nm多层薄膜滤光片时杂质周围产生的温升效应,通过对计算结果与实验结果的比较,分析了杂质对滤光片薄膜激光损伤的影响。分析了连续激光作用下杂质对滤光片的破坏机制,解释了滤光片熔坑产生的原因。
张翠娟付博张大勇罗福罗飞袁红
关键词：激光滤光片温度场
光伏型碲镉汞红外探测单元响应特性分析被引量：1
2014年
对激光辐照PV型的Hg1-xCdxTe单元探测器的响应特性进行了研究,建立了材料内部光生电动势变化的数学分析模型。计算了不同光源辐照3类组分不同的Hg1-xCdxTe探测单元的输出特性,并对温度波动影响进行了分析。结果表明:在光敏面积恒定时,x值越大探测器的完全饱和电压越大,即探测器的响应度Hg0.627Cd0.373Te>Hg0.698Cd0.302Te>Hg0.819Cd0.181Te;x值越小,探测器受温度波动的影响越小。
张平付博张蓉竹孙年春
关键词：响应度
同成分掺镁铌酸锂晶体紫外光致吸收阈值效应的研究被引量：5
2005年
研究了同成分掺镁铌酸锂晶体中的紫外光致吸收效应。通过对不同掺Mg浓度铌酸锂晶体的紫外光致吸收系数和双色存储灵敏度的测量,发现同成分掺镁铌酸锂晶体的紫外光致吸收效应具有Mg离子浓度阈值效应。只有当掺Mg摩尔分数大于3.0%时,从近紫外一直延伸到近红外波段的紫外光致吸收效应才显示出来。这一Mg离子浓度阈值效应进一步为双色存储灵敏度的测量结果所证实。该浓度阈值小于掺镁铌酸锂晶体抗光损伤效应的摩尔分数阈值4.6%。这种紫外光致吸收现象可能和掺镁铌酸锂晶体中反位铌NbLi浓度的急剧减少基本消失有关。
付博张国权赵璐冰乔海军徐庆君申岩许京军孔勇发孙军陈绍林
关键词：非线性光学紫外光致吸收铌酸锂
不同波长激光对绝缘体上硅材料损伤阈值的理论研究与数值分析
2012年
分析了不同波长激光辐照绝缘体上硅(SOI)材料时的相互作用机制。使用ANSYS软件热分析模块,通过有限元方法模拟得到波长分别是355、532、1064nm的激光辐照SOI材料后的温度场分布。讨论了不同波长激光辐照SOI材料表面时的自加热现象。
刘晨星张大勇付博李阳龙任攀
关键词：SOI材料波长效应激光损伤
温度对法布里-珀罗铌酸锂电光开关性能的影响分析被引量：1
2011年
研究了温度对法布里-珀罗铌酸锂电光开关性能的影响。理论分析结果表明,铌酸锂晶体折射率热变化引起的光程差变化要比线性热膨胀引起的大一个量级,而电光效应热变化引起的光程差变化则比前两者的小得多。折射率随温度的改变是晶体温度升高造成光程差变化的主要原因,进而使法布里-珀罗电光开关透射峰的中心波长发生漂移,失去对光束的调控能力。可以通过在铌酸锂晶体上施加直流电压或者在法布里-珀罗腔中加入液晶波片的方法对温度的影响进行补偿。
付博张大勇罗飞骆永全沈志学
关键词：光学器件电光开关
铌酸锂晶体中的光诱发缺陷中心及其应用
张国权付博申岩乔海军许京军孔勇发徐庆君董嵘
该项目发现掺镁铌酸锂晶体紫外光致吸收的镁离子浓度阈值效应；测定了铌酸锂晶体紫外光致吸收的热激活能，确认紫外光致吸收的出现与空穴小极化子O－的形成有关；利用紫外光致吸收效应实现了双色非挥发全息记录，记录灵敏度可达0.1 c...
关键词：
关键词：铌酸锂晶体激光器
脉冲激光对绝缘体上硅材料的损伤机理研究被引量：3
2010年
绝缘体上硅(SOI)材料的激光损伤特性研究对基于该材料的光学器件在激光环境中的应用具有重要价值。本文使用1064 nm脉冲激光对SOI材料进行了辐照实验,在脉冲宽度分别为190 ps和280μs的条件下,测得的损伤阈值能量密度分别为2.5 J/cm2和19.8 J/cm2,SOI材料表面的激光损伤模式也存在明显差别。根据实验结果,利用ANSYS软件的热分析模块,采用有限元方法数值模拟了激光辐照结束后SOI材料内部的温度场分布,并结合损伤形貌的观测对SOI材料的激光损伤机制进行了讨论。
付博张翠娟罗飞张大勇申永明刘国栋袁永华罗福
关键词：光学材料SOI材料激光损伤阈值脉冲激光
单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测被引量：8
2008年
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程,经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106cm/s。建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程。研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素。
刘国栋王贵兵付博江继军王伟平罗福
关键词：超快光学飞秒激光
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0