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付超超

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 4篇微波
  • 3篇退火
  • 3篇金属硅化物
  • 3篇硅化物
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇导体
  • 2篇电阻
  • 2篇振荡频率
  • 2篇柔性衬底
  • 2篇频率特性
  • 2篇微波加热
  • 2篇肖特基
  • 2篇量产
  • 2篇接触电阻
  • 2篇截止频率
  • 2篇金属
  • 2篇沟道

机构

  • 11篇复旦大学

作者

  • 11篇付超超
  • 11篇吴东平
  • 6篇许鹏
  • 5篇周祥标
  • 4篇张卫
  • 4篇张世理
  • 2篇王言
  • 2篇赵丹
  • 1篇许鹏

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法。本发明中，在金属硅化物与源区或漏区交界处形成具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻。提出的场效应晶体管采用金属源...
许鹏吴东平付超超周祥标
文献传递
制备高性能TFT的方法
本发明涉及晶体管制造领域，公开了一种制备高性能TFT的方法。本发明中，在活化层上形成金属层且对活化层进行离子掺杂之后，再采用微波退火工艺对掺杂离子进行激活，借助金属层对微波的高吸收作用，提高了微波退火工艺的效率，并且成本...
付超超吴东平王言
文献传递
一种晶体管及其制造方法
晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(f<Sub>T</Sub>)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著...
吴东平付超超张世理张卫
文献传递
多层场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种多层场效应晶体管及其制造方法。本发明中，将N个场效应晶体管采用上下堆叠的方式形成，能够在不增加芯片表面积的情况下，提高集成电路场效应晶体管的集成度，符合半导体技术发展的趋势，能够对量产...
吴东平许鹏周祥标付超超
文献传递
位于柔性衬底上的半导体结构的退火方法
本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的半导体结构的退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的...
吴东平许鹏付超超赵丹张卫张世理
文献传递
微波退火工艺
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种微波退火工艺。本发明中，在功能层的第一表面和/或第二表面上形成均匀覆盖的高吸收层，借助高吸收层对微波的高吸收作用，一方面保证对功能层的均匀热传导，克服了非接触式效率低下的问题；另一方面...
付超超吴东平王言
文献传递
微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节被引量：3
2016年
为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(IBS)和先淀积金属形成金属硅化物后进行离子注入并退火(IAS)两种方案进行研究。通过C-V和I-V测试对制备的样品进行了电学表征,并通过计算给出了其肖特基势垒高度,结果表明微波退火可实现空穴和电子肖特基势垒的有效调节,而且IBS方案的调节效果优于IAS方案的调节效果。除此之外,相对于传统热退火技术,微波退火可以在更低的温度下实现相同肖特基势垒的调节。
周祥标许鹏付超超吴东平
关键词：NISI
一种晶体管及其制造方法
晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(f<Sub>T</Sub>)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著...
吴东平付超超张世理张卫
无结场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种无结场效应晶体管及其制备方法。本发明中，能够获得具有关态漏电小，能有效克服短沟道效应等优点的无结场效应管，此外，使源区和漏区采用肖特基接触引出，能够降低源区和漏区的接触电阻，从而增加了...
许鹏吴东平付超超周祥标
文献传递
半导体器件的制备方法
本发明提出了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底内形成非晶化区，然后将半导体器件中的源漏区形成在非晶化区内，非晶化区能够抑制源漏区末端缺陷的生成，从而能够很好的降低半导体器件源漏区和半导体衬底之间的漏电；此外，在去除虚...
吴东平许鹏周祥标付超超
文献传递
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