傅德颐
- 作品数：18 被引量：13H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位...
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
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- MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
- 使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的...
- 李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓
- 关键词：非极性金属有机物化学气相沉积
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- Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
- 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...
- 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
- 文献传递
- 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法
- 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N...
- 张荣谢自力刘斌李毅苏辉傅德颐修向前华雪梅赵红陈鹏韩平施毅郑有炓
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- m面GaN平面内结构和光学各向异性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释.
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌李弋傅德颐修向前韩平施毅郑有炓
- 薄膜材料研究中的XRD技术被引量：8
- 2009年
- 晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。
- 周元俊谢自力张荣刘斌李弋张曾傅德颐修向前韩平顾书林郑有炓
- 关键词：X射线衍射应力位错密度
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 2008年
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 应变对AlN薄膜价带结构及光学性质的调制作用
- 本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|<0.86％)条...
- 傅德颐张荣刘斌张曾谢自立修向前郑有炓
- 关键词：氮化铝薄膜光学性质光学跃迁光子器件
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- 一种宽光谱白光LED结构及生长方法
- 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-1</Sup>；在N型...
- 张荣谢自力刘斌修向前华雪梅赵红傅德颐陈鹏韩平施毅郑有炓
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- 一种非极性面InN材料的生长方法
- 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO<Sub>2</Sub>(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，...
- 谢自力张荣刘斌修向前华雪梅赵红傅德颐韩平施毅郑有炓
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