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刘业帆

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 19篇存储器
  • 6篇电极
  • 6篇聚对二甲苯
  • 6篇衬底
  • 4篇淀积
  • 4篇绝缘
  • 3篇底电极
  • 3篇非易失性
  • 3篇存储器结构
  • 2篇电极接触
  • 2篇电极结构
  • 2篇电流
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇修饰
  • 2篇选择性
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇一致性
  • 2篇制程

机构

  • 19篇北京大学

作者

  • 19篇刘业帆
  • 19篇黄如
  • 19篇蔡一茂
  • 16篇王宗巍
  • 5篇李强
  • 4篇白文亮
  • 4篇潘越
  • 4篇毛俊
  • 3篇黎明
  • 2篇潘岳
  • 1篇谭婧

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种有机阻变存储器及制备方法
本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积...
蔡一茂刘业帆白文亮王宗巍方亦陈黄如
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一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法
本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻...
蔡一茂刘业帆方亦陈王宗巍李强余牧溪潘越黄如
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一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法
本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极-阻变层-电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；...
蔡一茂王宗巍黄如刘业帆余牧溪方亦陈
一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀...
蔡一茂王宗巍黄如刘业帆潘越余牧溪
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高一致性的阻变存储器结构及其制备方法
一种阻变存储器结构，依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极；所述阻变存储器结构与主流阻变存储器结构相比，其不同之处在于，在所述的阻变材料薄膜中包含金属离子掺杂浓度高于周围区域的三角形区域，使得器件的阻变行为可...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍刘业帆黎明
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有机阻变存储器及其制备方法
本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述存储器的衬底为绝缘材料，器件单元为横向的MIM电容结构；该MIM结构的两侧电极分别为ITO(氧化铟锡)和Al电极；中间功能层为两个聚对二甲苯层构成的双层结构；在两个聚对二甲...
蔡一茂刘业帆白文亮王宗巍方亦陈黄如
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阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变...
蔡一茂毛俊黄如王宗巍刘业帆余牧溪
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一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的...
黄如李强蔡一茂刘业帆潘岳余牧溪
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一种小尺寸超薄阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种小尺寸超薄阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器与现有阻变存储器结构的主要区别在于将阻变薄膜局限在隔离层的凹槽中，使阻变薄膜层自然形成V型形状，大大缩小实际...
黄如余牧溪蔡一茂李强刘业帆张镇星谭婧黎明
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阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变...
蔡一茂毛俊黄如王宗巍刘业帆余牧溪
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