刘松民
- 作品数:20 被引量:13H指数:2
- 供职机构:南京大学更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信化学工程医药卫生文化科学更多>>
- 一种化学气相沉积设备和成膜方法
- 一种化学气相沉积设备,包括气体输入结构和反应室,所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒,所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器,所述每个出口均为出气套筒的结构,出气套筒包括由内向外依次同...
- 顾书林刘松民朱顺明叶建东汤琨郑有炓
- 文献传递
- ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究
- 本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量,...
- 刘松民顾书林朱顺明叶建东刘伟张荣郑有炓
- 关键词:ZNOMOCVD数值模拟计算流体力学
- 文献传递
- 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置
- 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置,包括加热元件、电炉盘和电极连接线,加热元件上面设有盖板,电炉盘底部预留若干孔洞,连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护;加热装置外部由不锈钢外罩所封闭,电炉盘下方有隔热板,隔...
- 朱顺明刘松民顾书林叶建东汤琨
- 文献传递
- 一种有效实现金刚石中硅掺杂的设备与方法
- 一种有效实现金刚石中硅掺杂的设备,采用MPCVD系统,包括气体控制模块、微波模块和包括反应腔室的反应沉积模块;所述的反应沉积模块,包括石英窗、反应腔室、样品台和样品托,微波通过石英窗进入反应腔室,样品托置于样品台上在反应...
- 顾书林杨凯刘松民汤琨朱顺明叶建东段晶晶滕妍黄颖蒙赵伟康
- 一种实现高效磷掺杂金刚石薄膜的装置与制备方法
- 一种实现高效磷掺杂金刚石薄膜制备的装置,包括反应室和气体输入系统,反应室内设有用于掺杂生长的样品托和金刚石衬底,所述样品托呈倾斜状,且所述样品托上设有容纳所述金刚石衬底的凹槽,所述气体输入系统包括第一管路和第二管路,所述...
- 顾书林滕妍刘松民汤琨朱顺明叶建东杨凯段晶晶黄颖蒙赵伟康
- 一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法
- 一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法,基于微波等离子体化学气相沉积系统,1)衬底选择及清洗;2)将衬底放置于反应室钼托中,置于微波等离子体化学气相沉积系统,抽真空至7.5×10<Sup>‑4</Sup...
- 顾书林段晶晶滕妍赵伟康刘松民黄颖蒙杨凯朱顺明汤琨叶建东
- n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备与特性(英文)被引量:1
- 2006年
- 报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-n结.实验发现在一定配比的HF酸和NH4Cl溶液中,腐蚀深度和腐蚀时间呈线性关系,并且二氧化硅和ZnO的腐蚀速率得到很好的控制,这对器件制备的可靠性非常重要.电流-电压(I-V)特性测试显示该器件结构具有明显的整流特性.室温下,在正反向偏压状态下都可用肉眼观察到电致发光现象.同时,通过与光致发光谱进行比较,对电致发光谱中发光峰的起源和发光机制进行了探讨.
- 周昕顾书林朱顺明叶建东刘伟刘松民胡立群郑有炓张荣施毅
- 关键词:发光二极管
- 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备
- 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备,包括反应室和气体输入结构,所述气体输入结构包括两路反应气体管道,第一路管道连接的分配器将气体均匀输运道到反应室中,气体出口位于反应室顶部附近,将反应气体均匀地输运到反应室中,该气体分配...
- 顾书林刘松民朱顺明叶建东汤琨
- ZnO MOCVD的生长模拟及Mn的原位掺杂研究
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。同时,Mn等过渡金属掺杂的ZnO可望实现居里温度高于室温的铁磁有序。ZnO的这些优越的物理性质使其在短波长光点器件、激子型激光器...
- 刘松民
- 关键词:氧化锌薄膜MOCVD原位掺杂
- ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟被引量:1
- 2007年
- 采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.
- 刘松民顾书林朱顺明叶建东刘伟张荣郑有炓
- 关键词:ZNOMOCVD数值模拟