刘芳芳
- 作品数：65 被引量：163H指数：8
- 供职机构：南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响被引量：1
- 2015年
- 研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%。
- 李光旻刘玮林舒平李晓东周志强何青张毅刘芳芳孙云
- 关键词：溅射气压粗糙度
- 不同成分比例CIGS薄膜及太阳电池的快速退火(英文)被引量：2
- 2009年
- 研究了110～180℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大,这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用,从薄膜的电阻率有少量提高,器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证;而对于高Ga电池来说,填充因子FF的改善最大,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高,使得FF有较大的增加.
- 刘芳芳孙云王赫张力李长健何青李风岩周志强
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池快速退火二极管特性
- CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究
- CI(G)S 薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点。本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的 Cu-In-(Ga) 预制层的材料特性。制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影...
- 鞠兰李凤岩姜伟龙何青刘芳芳孙云
- 文献传递
- 效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池被引量：11
- 2004年
- 利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较,分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和物理方面存在的问题。
- 何青孙云李凤岩敖建平刘芳芳李伟刘维一孙国忠周志强薛玉明朴英美汲明亮郑贵波李长健
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池
- Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程被引量：4
- 2013年
- CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.
- 刘芳芳张力何青
- 关键词：CIGS薄膜相变过程
- 聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善被引量：1
- 2010年
- 为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。
- 姜伟龙何青刘玮于涛刘芳芳逄金波李凤岩李长健孙云
- 关键词：附着性
- 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法
- 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的...
- 张照景敖建平毕金莲郭佳佳高青孙国忠周志强刘芳芳张毅孙云
- 文献传递
- Cu元素对Cu(In,Ga)Se_2薄膜及太阳电池的影响被引量：3
- 2014年
- Cu元素成分对Cu(In,Ga)Se2(简称CIGS)薄膜材料的电学性质及其电池器件性能有很重要的影响.本文利用蒸发法制备了贫Cu和富Cu的CIGS吸收层(0.7
- 刘芳芳何青周志强孙云
- 关键词：激活能开路电压
- Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池热退火工艺的研究
- 热退火是改善太阳电池性能的后处理工艺之一。本文研究了110℃～180℃(2min)条件下的空气热退火对不同成分比例Cu(In,Ga)Se
- 刘芳芳孙云王赫何青李长健刘玮李凤岩周志强李宝璋
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池二极管特性
- 文献传递
- CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜太阳电池的影响(英文)被引量：4
- 2005年
- 报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性 ,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液 .研究了水浴溶液的 pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结构特性的影响 .其中 ,溶液的pH值对CdS薄膜的特性起着关键的作用 .XRD图显示了随着溶液 pH值的变化 ,薄膜的晶相由六方相向立方相转变 .CdS薄膜的这两种晶相对CIGS薄膜太阳电池性能的影响不相同 .c CdS(立方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度分别为 1 4 19%和 8 5 0 7× 10 12 cm-2 ,而h CdS(六方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度则分别为 32 2 97%和 2 792× 10 12 cm-2 .高效CIGS薄膜太阳电池需要的是立方相CdS薄膜 .
- 薛玉明孙云何青刘芳芳李长键汲明亮
- 关键词：CDSCU(IN,GA)SE2立方相
