刘英斌
- 作品数：26 被引量：47H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- AlGaInP发光二极管内量子效率测量分析被引量：2
- 2008年
- 采用两种方法对650nm AlGaInP LED内量子效率进行测量分析。一是考虑光子循环利用的影响,建立取光效率模型,使用光线追迹法模拟计算取光效率,进而反推出内量子效率。另一方法是变温L-I-V测量分析,在降温过程测量外量子效率随温度的变化,测量出一定温度范围内外量子效率出现最大值且稳定,并根据LED内部的复合机制,从而确定内量子效率值。最后分析两种测量方法,并给出了影响测量的因素。
- 仲琳刘英斌陈国鹰赵润荣宝辉安振峰
- 关键词：发光二极管内量子效率温度
- 基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
- 采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)单元测试器件和128×128、128×160和256×2...
- 李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
- 关键词：MOCVD技术量子阱红外探测器红外热成像
- 文献传递
- InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4
- 2008年
- 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。
- 刘英斌陈宏泰林琳杨红伟郑晓光
- 关键词：金属有机化学气相淀积退火光电探测器
- 中波-长波双色量子阱红外探测器被引量：5
- 2008年
- 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。
- 赵永林李献杰刘英斌齐利芳过帆蔡道民尹顺政刘跳
- 关键词：量子阱红外探测器暗电流密度响应光谱探测率
- MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料
- 章其麟关兴国李景刘英斌任永一袁风波刘燕飞孙进民等
- 1.成果内容简介：该成果采用MOCVD生长HBT材料，解决了GaAs体材料的纯度，找到了克服GaAlAs氧沾污的方法，尤其是采用最新的P-GaAs掺C技术，满足了异质结与P-N结的陡峭分布，做到了基区很薄(80纳米)且P...
- 关键词：
- 关键词：化学汽相淀积汽相外延生长GAALAS/GAASHBT材料
- 高效率高亮度半导体激光器技术进展被引量：11
- 2008年
- 半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展。综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法,即外光栅法和内光栅法,激光器的波长稳定性达到0.1 nm/K以下。在外延材料结构中采用各种形式的大光腔结构设计,可以扩展近场光斑,从而使半导体激光器的光束发散角达到25°甚至更低。对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍,分析了不同方法的优缺点及应用情况。
- 李晨刘英斌宋雪云
- 关键词：激光二极管功率转换效率阈值电流密度光束发散角
- InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究被引量：4
- 2010年
- 研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。
- 刘英斌林琳陈宏泰赵润郑晓光
- 关键词：INGAAS金属有机物化学气相沉积
- 670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长
- 2010年
- 重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,p型AlInP材料获得了0.9×1018/cm3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯,在20mA工作电流下亮度为22～24mcd。器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670nm LED外延材料。
- 刘英斌林琳陈宏泰袁凤坡李云
- 关键词：ALGAINP压应变多量子阱光荧光界面粗糙度
- 谐振腔发光二极管
- 传统发光管由于受到自发辐射特点和出光角度的限制,单面出光效率只有2﹪.作为改进工艺之一,RCLED具有出光效率高、发散角可调、光谱特性好、平面结构制作工艺简单等特点.我们外延生长了940nmRCLED材料,制作了器件并进...
- 刘英斌杨红伟赵润陈宏泰
- 关键词：出光效率谐振腔发光二极管
- 文献传递
- InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
- 2008年
- 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：暗电流I-V特性异质结界面
