卫晓黑
- 作品数：3 被引量：8H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>
- 燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能
- 2013年
- 采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。
- 李智敏黄云霞卫晓黑张茂林周万城郝跃
- 关键词：Β-SICN掺杂燃烧合成介电性能
- Ti3SiC2微波吸收剂的制备及性能研究
- 三元层状碳化物Ti3SiC2兼具金属和陶瓷材料的优良性能,在耐高温吸波材料领域有一定的应用潜力。本论文通过 X射线衍射、扫描电子显微镜和能谱分析以及微波介电性能测试等方法,系统地研究了Ti3SiC2及Al掺杂Ti3SiC...
- 卫晓黑
- 关键词：微波介电性能AL掺杂抗氧化性
- 文献传递
- 掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能被引量：7
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明:Al掺杂后,Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大.利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂,通过矢量网络分析仪测试了样品在8.2—12.4 GHz范围内的微波介电常数,验证了理论计算结果,并讨论了微波损耗机理.
- 李智敏施建章卫晓黑李培咸黄云霞李桂芳郝跃
- 关键词：第一性原理介电性能
