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吕幼华

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇抗ESD
  • 3篇二极管
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子系统
  • 2篇短路
  • 2篇短路点
  • 2篇静电损伤
  • 2篇互连
  • 2篇互连线
  • 1篇制作方法
  • 1篇PIC
  • 1篇SOI
  • 1篇ESD

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇吕幼华
  • 3篇高明煜
  • 3篇张海鹏
  • 3篇汪洁
  • 2篇徐文杰
  • 2篇许杰萍
  • 1篇汪沁
  • 1篇孙玲玲
  • 1篇李文钧
  • 1篇刘国华

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法被引量：5
2006年
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
张海鹏汪沁孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪洁
关键词：ESDSOIPIC
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOILIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层、...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜吕幼华汪洁
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集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜吕幼华汪洁
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