吴子景
- 作品数：9 被引量：14H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目上海市科委科研计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- Cu／Ta／SiO2／Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置。发现在69 mN的最大载荷作用后,在Ta/SiO2界面处发生分层。分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同。
- 吴子景吴晓京卢茜Shen Weidian蒋宾
- 关键词：纳米压痕
- Si衬底对ZnO薄膜性能影响的研究
- 2008年
- 使用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)技术,采用两种不同纯度(99.5%和99.99%)的ZnO靶材,在p型Si衬底上制备了两种ZnO/Si薄膜.原子力显微镜与X射线衍射分析表明,两种样品具有相似的显微形貌与相同的晶体结构.霍尔效应测试发现,两种ZnO/Si薄膜都展现出了低电阻率、高迁移率的电学性能,但是其导电类型完全相反.研究结果表明,衬底的性能对霍尔效应测试有巨大影响.利用二次离子质谱仪,发现了在低纯度的样品中存在着S杂质向Si衬底中扩散的现象,并直接导致了衬底的导电性能的反型.
- 周建青周永宁吴子景卢茜吴晓京
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积SI衬底
- A Nanoindentation Experiment on PECVD Silicon Oxide and Silicon Nitride Thin Films
- A nanohardness tester was used to conduct nanomechanical characterization of silicon oxide (SiO2) and silicon ...
- 吴子景吴晓京Wei-dian Shen蒋宾
- 关键词：NANOINDENTATIONHARDNESS
- 纳米压痕试验在纳米材料研究中的应用被引量：11
- 2008年
- 纳米材料由于其本身特殊的尺度,呈现出与体材料完全不同的力学、摩擦学性质.纳米压痕试验作为一种在纳米尺度进行力学、摩擦学性质表征的有效手段,已经被成功地运用于单层/多层薄膜、超薄膜、纳米线/管等纳米材料的纳米摩擦学研究中.在硬度、弹性模量的测量以及弹性/塑性形变、应变强化等现象的研究中已经取得了许多重要的成果.但是,目前的纳米压痕试验还存在着重复性差、精确定量困难、缺少统一的测试标准等问题.寻找解决这些问题的方法,是纳米压痕试验未来发展中的重要课题.
- 吴晓京吴子景蒋宾
- 关键词：纳米摩擦学纳米压痕原子力显微镜
- Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究被引量：1
- 2008年
- Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
- 卢茜吴子景吴晓京Weidian Shen蒋宾
- Study on nano-mechanical properties of passivation thin films in IC
- Silicon oxide and silicon nitride, frequently used as passivation layers in IC processes, exert more direct an...
- 吴子景吴晓京Weidian Shen蒋宾
- 关键词：NANOINDENTATIONHARDNESS
- 基于纳米压入实验的微纳电子材料力学性能表征技术研究
- 随着集成电路器件特征尺寸的不断减小,微纳电子材料的力学性能越来越显著地对器件乃至整个电路的可靠性产生重要影响。因此需要一种行之有效的评价方法来表征这些材料在纳米尺度上的力学性能。本文采用纳米压入实验的方法,分别对集成电路...
- 吴子景
- 关键词：弹性模量
- 文献传递
- 集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究被引量：1
- 2008年
- 利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值.
- 吴子景吴晓京SHEN Wei-dian蒋宾
- 关键词：二氧化硅氮化硅弹性模量
- 无酸水热法制备多孔硅及其PⅢ表面改性
- 2008年
- 采用无酸水热法,制备了多孔硅材料。使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观察了样品表面形貌,比较了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构,发现随着刻蚀剂浓度的增加,平均孔径尺寸变大,且孔径分布趋于离散。使用等离子浸没注入技术,对多孔硅样品进行了表面注氮处理。室温荧光光谱研究发现处理后的样品的光谱峰位产生了蓝移,根据X光电子能谱仪检测的结果发现样品表面形成了Si-NxOy相,这一物相的出现导致了光谱的蓝移。
- 李慧卢茜吴子景吴晓京
- 关键词：多孔硅光致发光
