吴正元
- 作品数：11 被引量：43H指数：5
- 供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- P（L）ZT铁电薄膜裂纹特性分析被引量：1
- 1995年
- 对铁电薄膜热处理过程中产生的裂纹的特性进行了分析。通过实验，研究了裂纹与铁电薄膜微细图形的尺寸、图形形状，以及衬底材料的关系，确定了铁电薄膜无裂纹设计规则及无裂纹工艺。
- 曹广军于军周文利吴正元
- 关键词：铁电薄膜退火PZT薄膜
- 铁电微电容的制作工艺被引量：1
- 1995年
- 研究了铁电电容的制作工艺，摸索了Ｐ（Ｌ）铁电薄膜及上、下电极材料的微细图形加工工艺条件，总结出切实可行的工艺流程及相应的工艺条件。
- 曹广军吴正元于军周文丽陈萍丽谢基凡
- 关键词：铁电薄膜铁电电容铁电材料
- VDMOS功率器件的优化设计与研制
- 1993年
- 讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.
- 于军吴正元刘三清张硕
- 关键词：半导体器件芯片集成电路
- 新型节能电子镇流器的研制
- 1995年
- 对电子镇流器的工作原理作了较全面的分析，并从理论上系统地论述了电子镇流器的软激励特性、频率稳定度、输入电流波形的低畸变性、光输出稳定性和预热启动特性。
- 于军谢基凡曹广军吴正元
- 关键词：电子镇流器电流波形预热启动镇流器
- 高压金属场限环的研究被引量：2
- 1993年
- 平面功率器件由于终端pp结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,本文研究了金属场限环的工作机理,进行了金属场限环结构参数的设计,阐述了其制造工艺和实验结果;并和扩散场限环进行了比较,证实了金属场限环是一种工艺简单、对工艺要求低的高压终端技术。
- 张硕吴正元
- 关键词：终端技术功率器件
- WO_3基H_2S气体传感器的研究被引量：6
- 1999年
- 介绍了电子束蒸发ＷＯ３膜和以该膜为敏感材料的Ｈ２Ｓ气体传感器工艺。
- 吴正元陈涛丘思畴吴正华
- 关键词：气敏元件三氧化钨硫化氢传感器气体传感器
- 提高金属膜电阻器可靠性的途径被引量：7
- 1994年
- 介绍了采用射频反应工艺制备的ＡｌＮ薄膜对金属膜电阻器性能的影响，通过功率老化、高温贮存试验和电阻温度系数的测量，结果表明在陶瓷基体上淀积ＡｌＮ薄膜可以提高金属膜电阻器的可靠性。
- 于军曾祥斌吴正元
- 关键词：ALN薄膜金属膜电阻器可靠性
- 硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结效应
- 1997年
- 本文运用半导体能带理论探讨了硅衬底上铁电薄膜的异质结效应的物理模型．对用sol－gel工艺制备的PZT／Si结构的极化特性、开关特性和I－V特性的实验研究证实了这种效应．
- 于军周文利曹广军谢基凡吴正元
- 关键词：硅衬底铁电薄膜
- 高压VDMOS场板终端技术的研究被引量：13
- 1999年
- 采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正，在工艺上首次引入聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线，形成阶梯形场板，使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ．
- 吴正元张硕董晓敏于军
- 关键词：VDMOS终端结构
- PI电容湿度传感器的研制被引量：9
- 1999年
- 采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺（ＰＩ）为介质膜，以铬、金为电极的电容式湿度传感器．给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理．测试结果表明：在相对湿度ＲＨ为０～９６％范围内Ｃ～ＲＨ曲线线性度良好，灵敏度为ＲＨ变化１％，电容变化０．１５～０．１７ｐＦ，该种湿度传感器的ＲＨ长期稳定性为３％／
- 吴正元陈涛陈萍丽
- 关键词：聚酰亚胺薄膜电容式湿度传感器
