周剑英 作品数:14 被引量:4 H指数:1 供职机构: 浙江大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 机械工程 一般工业技术 更多>>
量子阱结构的等效宽度新公式 2002年 在有效质量近似下 ,分析了 Ga As/ Ga Al As量子阱结构中有限深势阱 (FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级 ,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式 ,发现结果与前人的数据吻合得很好 ;进一步的分析表明 ,该公式在非零电场下仍然适用 ,并从波函数角度进行了论证。 周小平 周剑英 杨爱龄 李锡华 江晓清 王明华关键词:GAAS/GAALAS 无限深势阱 InP基量子阱电吸收光调制器的设计与工艺实验 本文概述了量子阱电吸收光调制器设计的整个过程,从量子阱材料设计,到器件的光波导设计和微波特性设计,并给出了使用剥离法、湿法刻蚀技术制作InP基量子阱电吸收调制器的初步实验结果。InP基窄带隙量子阱材料设计相对能隙较大的G... 王明华 周剑英 李锡华 周小平 江晓清关键词:磷化铟 电吸收 光调制器 文献传递 光致折射率变化的瞬态特性研究 本文采用数值方法求解半导体波导材料中的光生载流子影响折射率变化的连续性方程,得到了瞬态下折射率变化的时间和空间的分布情况。为更好的研究和制作全内反射型的高速全光开关做了有益的探索和理论铺垫。 陈克坚 杨爱龄 周剑英 江晓清 王明华关键词:光生载流子 折射率变化 文献传递 量子阱结构中的等效宽度分析 2002年 在有效质量近似下 ,分析了有限深势阱的电子基态能级 ,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较 ,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式 ,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好 .分析了两种模型下的波函数和结合能 ,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性 . 周小平 周剑英 杨爱龄 李锡华 江晓清 王明华关键词:结合能 GAAS/GAALAS 光学性质 一种基于绕线形微碟可调谐光滤波器装置 本发明公开了一种基于绕线形微碟结构的可调谐光滤波器装置。包括部分绕线形微碟谐振腔,与微碟谐振腔缺口部分相连的光输入或输出直波导,在微碟谐振腔底部两侧分别设置光传输直波导,两光传输直波导的另一端与两个波导反射镜分别相连,两... 周剑英 蒋烽 江晓清 杨建义 王明华 李锡华 周强 郝寅雷文献传递 基于微碟结构的微波接收和转换装置 本发明公开了应用于ROF系统中的一种基于微碟结构的微波接收和转换装置。利用电光效应来调制接收到的微波信号。由激光器发出的光进入光波导,光波导在基片上形成对称M-Z干涉结构,这种结构的存在能够将相位调制转化成强度调制,在M... 江晓清 戴密特 周剑英 周强 郝寅雷 李锡华 杨建义 王明华文献传递 亚稳固溶体的制备与微结构研究 该文分另采用辉光电法制备氮化碳、用化学共沉淀法制备银钴过饱和固溶体、电弧法制备银铜过饱和固溶体、合成了这几种典型的亚稳材料,并用X射线衍射、透射电子显微镜等研究了这亚稳材料的微结构.在N<,2>与C<,2>H<,2>或C... 周剑英关键词:化学共沉淀法 文献传递 GaAlAs/GaAs量子阱行波Mach-Zehnder光调制器电极传输线的微波响应 被引量:2 2003年 研制了利用直线法设计的基于 Ga As衬底上的 Mach- Zehnder行波光调制器 .波导层使用了场诱折射率改变量较大的非对称多量子阱结构 ,采用脊型波导 ,并湿法刻蚀出台面以消除波导区以外的载流子引起的损耗 .调制器电极微波特性测试结果表明频率响应在 2 .5~ 2 0 GHz没有明显的起伏 ,但在低频段响应下降很快 ,另外微波损耗较大 ,讨论了其原因和改进方法 . 周剑英 李锡华 周小平 陈克坚 赵旭 王明华关键词:调制器 多量子阱 化合物半导体集成光学光纤陀螺芯片 本发明公开了一种化合物半导体集成光学光纤陀螺芯片。其波导下包层至波导上波层的构成双异质结或者单异质结外延材料,衬底是化合物半导体材料。并在在Y分支波导的内分叉处为半矩形或半椭圆状,外分叉处采用折线或弧线;在Y分支波导输出... 周剑英 王明华 江晓清 杨建义 李锡华 周强文献传递 基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用 2008年 对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析。利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右。此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高。 蒋烽 周剑英 杨建义 江晓清 王明华关键词:高Q值 消光比