周勇波
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法
- 本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法，主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是：将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台；依次对GaN材料中的(0002)...
- 张金风聂玉虎周勇波张进成郝跃
- 文献传递
- 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究被引量：1
- 2011年
- 文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射.考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.
- 王平亚张金风薛军帅周勇波张进成郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率
- 高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究被引量：2
- 2011年
- 文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,则霍尔迁移率在室温和77K下分别上升到1437和5308cm2/Vs.分析样品的X射线衍射、原子力显微镜测试结果以及脉冲MOCVD生长方法的特点,发现InAlN/GaN材料的结晶质量较高,与GaN晶格匹配的InAlN材料具有平滑的表面和界面.InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料形成高迁移率特性的主要原因归结为形成了密度相对较低(1.6×1013—1.8×1013cm-2)的2DEG,高质量的InAlN晶体降低了组分不均匀分布引起的合金无序散射,以及2DEG所在界面的粗糙度较小,削弱了界面粗糙度散射.
- 张金风王平亚薛军帅周勇波张进成郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率
- c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法
- 本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法，主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是：将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台；依次对GaN材料中的(0002)...
- 张金风聂玉虎周勇波张进成郝跃
- GaN材料位错按深度分布的表征及位错与点缺陷关系的研究
- Ⅲ族氮化物半导体材料(GaN，AlN，InN)及其电子和光电器件已成为半导体研究领域的热点之一。GaN具有高熔点(2300℃)、低分解点(约900℃)的特点，目前其材料制备的主流工艺为异质外延技术。与衬底之间的晶格失配和...
- 周勇波
- 关键词：X射线衍射点缺陷半导体材料位错密度
- 文献传递
