孟慧
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Zn掺杂SnO2纳米线的制备与结构表征被引量：3
- 2007年
- 利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征.
- 孟慧王聪
- 关键词：化学气相沉积
- Zn掺杂的SnO2纳米线的制备与结构表征
- 本工作利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属 Sn 粉和 Zn 粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了 Zn 掺杂的 SnO纳米线。并利用 X 射线衍射 (XRD),能谱分析(EDX),场...
- 孟慧王聪
- 关键词：化学气相沉积
