张东璞
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国空间技术研究院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- TiO_2和SiO_2薄膜应力在线测量与研究
- 2011年
- 研究了离子能量在薄膜制备过程中对TiO2和SiO2薄膜应力的影响。用电子束蒸发的方法制备TiO2和SiO2薄膜,使用实验室自行设计制作的基于哈特曼传感器的薄膜应力仪在线监测TiO2和SiO2薄膜应力随膜厚的变化。结果表明,离子辅助沉积的TiO2薄膜张应力值要比传统工艺低40 MPa,并且随着离子能量的增加,薄膜逐渐由张应力变为压应力,薄膜的最大折射率为2.56;而离子辅助的溅射效应在制备SiO2薄膜时比较明显,传统工艺制备的SiO2薄膜表现为压应力,而用离子辅助的方法制备的SiO2薄膜表现为张应力,并且随着离子能量的增加,薄膜变得疏松,折射率逐渐降低。
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- 关键词：TIO2SIO2薄膜应力哈特曼传感器
- 用放电等离子烧结的BaS:Eu片组成的复合靶溅射制备BaAl2S4:Eu薄膜(英文)
- 2012年
- 采用放电等离子烧结方法烧制BaS:Eu片,将该片嵌入铝靶中,溅射制备BaAl_2S__4:Eu薄膜。在制备的所有薄膜中均有BaAl_2S__4:Eu存在,当嵌入的BaS:Eu片数量大于3时,还有BaAl_2S__7生成。薄膜被氧化后会产生BaAl_2O_4、BaSO_4和Al_2O_3。随着嵌入BaS:Eu片数量的增加,钡的硫代铝酸盐(包括BaAl_2S__4:Eu和BaAl_4S_7)的含量增加,而A1_2O_3和BaS的含量降低。在复合靶中嵌入更多的BaS:Eu片,薄膜中的Al和Ba的元素比趋近2.0,光的发射谱谱峰趋于470nm。因此,在复合靶中增加BaS:Eu片的数量可以得到更好的BaAl_2S__4:Eu薄膜,放电等离子烧结技术适用于合成用于溅射制备BaAl_2S__4:Eu薄膜的靶材。
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- 关键词：溅射放电等离子烧结
- 二价铕离子掺杂碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性
- 2011年
- 为了获得高效的蓝色和绿色的电致发光材料,对Eu2+掺杂的碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性的关系进行了深入研究。首先简述了用于MⅡAl2S4∶Eu材料发光性能评估的位形坐标模型并引入各评估参量;其次结合材料的晶体结构对MⅡAl2S4∶Eu材料的光致发光和电致发光性能进行了比较和分析;最后,通过材料的PL光谱曲线计算出材料的特征能量和两个比值因子参量的值,从而得到对MⅡAl2S4∶Eu发光材料的量化比较。根据评估结果和其CIE1931色坐标的比较,可以认为BaAl2S4∶Eu和CaAl2S4∶Eu较适合于作为蓝色和绿色发光材料。由于可以使发射峰发生移动,镁、锶的硫代铝酸盐可以作为复合硫代铝酸盐发光材料使用。
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- 关键词：发光特性晶体结构
- BaAl_2S_4:Eu溅射靶材合成方法研究被引量：3
- 2012年
- 采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的Ba-Al2S4:Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4:Eu溅射靶材.
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- 关键词：发光材料溅射靶材放电等离子烧结
- 硫代铝酸钡(BaAl_2S_4:Eu)靶材制备工艺研究
- 2009年
- 为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎、研磨、高温烧结,以及热压等过程,制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaAl2S4:Eu发光层薄膜进行的光致发光分析表明,在300nm紫外光激发下,薄膜能够发射出峰值位于470nm处的蓝光。对发光层薄膜的XPS分析结果表明,发光层薄膜中含氧量较高,随着溅射功率的提高,薄膜中铝元素有显著增加;而随着淀积压强的增大,硫元素则显著减少。
- 丁曌张东璞喻志农薛唯
- 关键词：光学材料溅射靶材
