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张兴龙

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院材料加工工程系更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化钛
  • 2篇离子镀
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇电镜
  • 1篇电镜研究
  • 1篇涂层
  • 1篇溅射
  • 1篇PEMSIP
  • 1篇TIN膜
  • 1篇TIN涂层
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射离子...

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇张兴龙
  • 2篇高路斯
  • 2篇王玉魁
  • 2篇韩会民
  • 1篇王传恩
  • 1篇王斐杰

传媒

  • 2篇大连理工大学...

年份

  • 2篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基片负偏压对PEMSIP法TiN涂层的影响被引量：2
1995年
应用Ｘ射线衍射分析研究了基片负偏压对ＰＥＭＳＩＰ法ＴｉＮ涂层相组成的影响；结果表明，随着基片负偏压增加，膜层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展，进而影响膜层的硬度。通过微区化学成分分析（ＥＤＳ）研究了膜基界面附近的成分分布。结果表明，界面处有过渡层；偏压愈高，过渡层愈显著。
王玉魁张兴龙韩会民高路斯王传恩
关键词：等离子体氮化钛磁控溅射涂层离子镀
等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的电镜研究
1995年
利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的组织和结构．在沉积ＴｉＮ之前先镀一层极薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ．研究结果表明：在基体和中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处α－Ｔｉ与Ｔｉ＿２Ｎ有结构匹配关系；靠近中间层的后继膜由Ｔｉ＿２Ｎ和ＴｉＮ两相组成；而远离中间层的后继膜部分是ＴｉＮ组成的．
王玉魁张兴龙韩会民王斐杰高路斯
关键词：氮化钛离子镀
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