张冰阳
- 作品数：16 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- 利用SEAM技术对电畴结构的直接观察被引量：5
- 1997年
- 利用国际上近几年发展起来的扫描电子声显微镜技术，对ＢａＴｉＯ３铁电陶瓷材料及其单晶进行电子声成像实验。结果表明：利用扫描电子声显微镜技术在不对样品表面进行任何处理的情况下，可以直接对电畴结构进行观察。实验结果显示出扫描电子声显微成像技术在对铁电材料的电畴结构微观分析中的优越性，为在微观领域分析研究铁电材料的电畴结构提供了一种新的观察与分析手段。
- 张冰阳江福明杨阳惠森兴姚烈殷庆瑞
- 关键词：扫描电子显微镜钛酸钡陶瓷电畴陶瓷结构
- 扫描电子声显微镜在半导体材料分析中的应用
- 1996年
- 本文利用国际上近几年发展起来的一种新型显微成像工具──扫描电子声显微镜（ＳＥＡＭ－ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对几种类型的半导体材料进行了电子声成像观察与研究．文中简述了扫描电子声显微镜的电子声成像机理和其工作原理．从获得的电子声图像上，反映出扫描电子声显微成像技术在对半导体材料的亚表面缺陷和掺杂分布方面有着直接观察与显示的能力．同时与相应位置所获得的二次电子像进行了比较，显示出了电子声显微成像技术的独特之处和潜在的应用价值．
- 张冰阳江福明惠森兴杨阳姚烈殷庆瑞
- 关键词：半导体材料显微镜
- Si_3N_4陶瓷和ZrSiO_4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察被引量：3
- 1998年
- 本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布。实验结果证实在陶瓷材料中由维氏压痕所引起的残余应力场是呈弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥＡＭ技术在对陶瓷材料中残余应力场分布的研究中是一种有力的工具。
- 张冰阳杨阳江福明施鹰殷庆瑞
- 关键词：陶瓷复相陶瓷残余应力电镜
- 铁电半导体陶瓷材料电声成像中电声信号的产生被引量：1
- 1996年
- 本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种材料的电声成像中，热波耦合机制和压电耦合机制对电声信号的产生均有着贡献，但热波耦合机制占主导地位。另外扫描电声显微镜在对材料的亚表面缺陷无损观察方面有着其它观察手段所无法比拟的优点。
- 张冰阳江福明惠森兴杨阳姚烈殷庆瑞
- BaTiO_3晶体的电畴结构和单畴化方法被引量：12
- 1997年
- BaTiO3晶体的光折变应用之前，必须对晶体进行单畴化处理．根据BaTiO3晶体中90°电畴结构和包裹体之间的关系，我们找到一种在晶体极化之前就能有效地检查出BaTiO3晶体中包裹体的方法．根据BaTiO3晶体中90°电畴和180°电畴的形成特点，既可以让晶体以缓慢速度降温通过顺电-铁电相交点（1℃／15min），消去BaTiO3晶体的90°电畴，也可以用在α轴方向上施加一定的压力消去BaTiO3晶体的90°电畴．180°电畴可以在晶体的温度接近居里点时。
- 罗豪齐振一张冰阳仲维卓
- 关键词：BATIO3相变电畴结构钛酸钡光折变
- 扫描电声显微镜中干扰信号及假信号的预防
- 1997年
- 本文对扫描电声显微镜电声成像中出现的干扰信号以及假信号的产生进行了讨论．指出扫描电声显微镜设备周围存在的高强度电场、磁场、高频设备和仪器本身的接地是造成干扰信号出现的主要原因，同时给出了一种能有效防止以上干扰的样品一探测器组件结构．而在电声像中假信号产生的原因则主要是由于样品和探测器接地不当所引起．在进行电声成像观察和记录时最好关掉电镜的对比度旋钮．
- 张冰阳江福明杨阳惠森兴姚烈殷庆瑞
- 关键词：干扰信号扫描电声显微镜电子显微镜
- PMNPT单晶的电畴结构
- 1997年
- 弛豫型铁电体ＰＭＮＰＴ晶体，它是由铌镁酸铅［（Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，简写为ＰＭＮ］和钛酸铅（ＰｂＴｉＯ３简写为ＰＴ）组成的固溶体晶体材料。ＰＭＮＰＴ具有钙钛矿结构，晶体的高温顺电相为立方结构；低温铁电相的结构和组成与ｘＰＭＮ－（１－ｘ）ＰＴ中ｘ的大小有关，从晶体中负离子配位多面体角度分析，由于晶体中的ＮｂＯ６和ＭｇＯ６八面体的多少可以在晶体中出现一个四方－三方相共存的准同型相界结构，在ＮｂＯ６和ＭｇＯ６八面体数量较多时晶体为四方结构，数量较小时为三方相结构。增加ＰＴ的含量，可以提高ＰＭＮＰＴ弛豫型铁电相变的居里温度（Ｔｃ）。通过调节ＰＴ的含量大小量，我们生长出了Ｔｃ约１８０℃的ＰＭＮＰＴ晶体，它的低温铁电相为四方结构。由于生长出来的ＰＭＮＰＴ晶体降温通过居里点时，发生弛豫性铁电相变，晶体内部的载流子浓度不能完全补偿相变时，多种八面体沿晶体ａ、ｂ或ｃ轴相反方向拉伸所产生自发极化而造成的晶体内部电场的变化，便形成ＰＭＮＰＴ晶体内自发极化方向相反的１８０℃多畴结构。另一方面ＰＭＮＰＴ晶体结构中，ＮｂＯ６，ＭｇＯ６和ＴｉＯ６八面体在发生顺电－铁电相变过程中，由于它们沿晶体ａ、ｂ或ｃ轴不断拉伸，使晶格发生?
- 张冰阳沈关顺齐振一许桂生王评初乐秀宏李金龙仲维卓殷之文
- 关键词：铁电体电畴结构弛豫型铁电体铌镁酸铅
- GaAs光阴极材料的液相外延被引量：2
- 1992年
- 利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。
- 张冰阳何益民朱李安张济康高鸿楷侯洵
- 关键词：砷化镓光阴极
- 富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长
- 1993年
- 本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_(1……x)Sb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液相外延生长出了优良的AlGaSb外延层。
- 张冰阳何益民朱李安侯洵
- 关键词：异质结液相外延生长锑化镓
- GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究
- 1992年
- 本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。
- 张冰阳何益民李朱安张济康高鸿楷侯洵
- 关键词：光阴极液相外延砷化镓
