张林睿
- 作品数：25 被引量：29H指数：4
- 供职机构：内蒙古师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程动力工程及工程热物理更多>>
- a-SiN_x:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究被引量：1
- 2016年
- 为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知，当热丝温度为1645℃时，H含量最大，N含量最小，同时其折射率最高，薄膜材料的有序度增大；当热丝温度为1713℃时，H含量减少，N含量达到最大，且随着热丝温度增大，薄膜中N含量又开始下降，内部缺陷态密度增加。结果表明，热丝法制备a－SiNx ：H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃～1680℃之间，此时所制备的薄膜折射率为2．0，适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层，且具有较充分的氮、氢含量，薄膜结构、性能稳定。
- 张娜周炳卿张林睿路晓翠
- 关键词：光致发光光谱热丝化学气相沉积
- VTD法制备不同基底倾角的硒化锑薄膜及太阳电池
- 2022年
- 硒化锑(Sb_(2)Se_(3))具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一。目前,在Sb_(2)Se_(3)的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注。采用VTD法制备Sb_(2)Se_(3)薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等。本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb_(2)Se_(3)薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征。结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响。晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小,同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长,在基底倾角为90°时,薄膜变得最为致密。近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1100 nm的范围具有最低的反射率,在该角度下制备的FTO/CdS/Sb_(2)Se_(3)/C器件获得了2.38%的转换效率。
- 白晓彤崔晓荣张林睿周炳卿
- 关键词：太阳电池微结构带隙
- 预热温度对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能的影响
- 2022年
- 通过溶胶凝胶法研究不同预热温度(140℃、170℃、200℃、230℃)对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能及其太阳电池转化效率的影响,利用XRD、Raman、SEM、UV、光电化学测试对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜结构与光电性能进行表征,并对制备的薄膜器件进行I-V特性曲线表征。由XRD衍射和Raman散射测试表明,硒化后的样品均掺入了Se原子。预热温度为200℃时,Sb_(2)(S,Se)_(3)的(120)、(130)、(230)衍射峰相对强度最大,表明晶体结晶质量提升的同时,具有一定取向。SEM表征发现,Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的形貌以及薄膜表面平整度与前驱体的预热温度密切相关;合适的衬底预热温度(200℃)可以快速将有机溶剂分解挥发,使Sb_(2)S3前驱体薄膜迅速沉积在衬底表面。200℃时Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜光电性能最好,暗电流相对最平稳,此时带隙值为1.37 eV,制备出的太阳电池效率为0.386%。
- 崔晓荣白晓彤周炳卿张林睿
- 关键词：溶胶凝胶法预热温度光电性能
- 微晶硅薄膜材料的制备及其光电特性的研究
- 当前，能源危机以及环境污染的问题引起了世界人民的关注，绿色环保的新能源一直是人们热讨的话题。利用太阳能发电是解决这些困惑有效的手段之一。对于各类太阳能电池，薄膜太阳能电池在制备过程中成本低，在整个沉积过程中可以完成电池的...
- 张林睿
- 关键词：微晶硅薄膜结构特性
- 文献传递
- 热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究被引量：1
- 2014年
- 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料。对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征分析。结果表明,随着热丝温度升高,氢稀释度变大,薄膜呈现明显的(220)择优生长取向,晶粒尺寸逐渐增大,光学吸收边出现红移,光学带隙逐渐变小。通过优化沉积参数,在热丝温度为1577℃、氢稀释浓度为95.2%、衬底温度为350℃,沉积速率为0.6 nm/s和沉积气压8 Pa条件下,制备的微晶硅薄膜呈现出了(220)方向的高度择优生长取向,平均晶粒尺寸为146 nm,光学带隙约为1.5 eV,光电导率σp为3.2×10-6Ω-1·cm-1,暗电导率σd为8.6×10-7Ω-1·cm-1,表明制备的材料是优质微晶硅薄膜材料。
- 高玉伟周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：微晶硅薄膜化学气相沉积热丝
- 热处理和掺铝量对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜光电性能的影响被引量：2
- 2013年
- 以(CH3COO)2Zn·2H2O和AlCl3·6H2O为前驱物,以普通玻璃为基底利用溶胶-凝胶旋转涂膜法制备AZO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等对AZO薄膜的物相组分、表面形貌、透射率和方块电阻进行测量与表征,并研究了热处理温度和掺铝量对AZO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:AZO薄膜的结构和光电性能与不同的热处理温度和掺铝量有关,实验得到了最佳的工艺条件为热处理温度为500℃,热处理时间为60 min,掺Al溶度为1mol%,镀膜层数为8层。
- 张丽丽周炳卿张林睿李海泉
- 关键词：溶胶凝胶法AZO薄膜光电性能
- 射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.
- 张娜李海泉周炳卿张林睿张丽丽
- 关键词：氢化非晶硅薄膜射频功率光电特性
- 氮流量在高氢氛围中对富硅氮化硅薄膜材料结构及其发光特性的影响被引量：2
- 2016年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以N_2掺入到SiH_4和H_2的沉积方式,分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。通过紫外-可见光吸收光谱、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、拉曼光谱和光致发光谱(PL谱)分别表征掺氮硅薄膜材料的带隙、结构及其发光特性的变化。结果表明:在氢气的氛围中,随着氮气流量的增加,氢原子能够对薄膜缺陷起到抑制作用,并使较低的SiH_4/N_2流量比下呈现富硅态,但却不利于硅团簇的形成。随着氮原子的掺入,Si-N键的含量增大,带隙增大,薄膜内微结构的无序度也增大,薄膜出现了硅与氮缺陷相关的缺陷态发光;随着氮原子进一步增加,出现了带尾态发光,进一步讨论了发光与结构之间的关联。这些结果有助于采用PEXVD制备富硅氮化硅对材料发光与结构特性的优化。
- 张林睿周炳卿张娜路晓翠乌仁图雅高爱明
- 关键词：等离子体化学气相沉积光致发光
- 射频功率对微晶硅薄膜材料相结构的影响*
- RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构的影响.通过X 射线衍射、Raman 光谱...
- 张林睿周炳卿张丽丽金志欣李海泉
- 关键词：RF-PECVDMICROCRYSTALLINECRYSTALLINEFRACTION
- 氧化铟锡薄膜材料制备及其光电特性研究被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶旋转涂膜法,以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜材料,研究掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.实验结果表明,ITO薄膜的方块电阻和可见光透射率都与掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和时间等因素有关,最佳参数为锡掺杂量12wt%,热处理温度和时间分别为450℃和1h,薄膜层数为6层.最佳ITO薄膜的方块电阻为185Ω/□,可见光平均透射率为91.25%.
- 高玉伟张丽丽周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：溶胶-凝胶法ITO方块电阻透射率光电性能
