您的位置： 专家智库 > >

张泽洪

作品数：7 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇GAN
  • 3篇氮化镓
  • 3篇MOVPE
  • 2篇退火
  • 2篇退火行为
  • 2篇气相外延
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇立方相
  • 2篇立方相GAN
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物气...
  • 1篇电性质
  • 1篇英文
  • 1篇砷化镓
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇外延层
  • 1篇晶片
  • 1篇晶片键合

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇张泽洪
  • 6篇孙元平
  • 6篇杨辉
  • 5篇冯志宏
  • 5篇赵德刚
  • 5篇冯淦
  • 5篇沈晓明
  • 4篇张宝顺
  • 2篇郑新和
  • 2篇付羿
  • 1篇张书明
  • 1篇王玉田
  • 1篇梁骏吾
  • 1篇朱建军
  • 1篇段俐宏
  • 1篇王俊
  • 1篇张秀兰

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇中国科学（A...

年份

  • 2篇2003
  • 5篇2002
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2
2003年
在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
关键词：GANPT肖特基接触退火MOVPE
GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文)
2002年
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、KOH水溶液以及熔融KOH ,腐蚀温度为 90～ 30 0℃ .实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑 .KOH溶液腐蚀出长方形的坑 ,长边平行于 (111)A面 ,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同 .用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性 .此外 ,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错 .
沈晓明冯志宏冯淦付羿张宝顺孙元平张泽洪杨辉
关键词：砷化镓MOVPE湿法腐蚀金属有机物气相外延
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量：1
2002年
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾
关键词：GAN半导体材料
GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现被引量：7
2002年
利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 .
孙元平张泽洪赵德刚冯志宏付羿张书明杨辉
关键词：发光二极管立方相GAN晶片键合GAAS衬底
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
2002年
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .
沈晓明张秀兰孙元平赵德刚冯淦张宝顺张泽洪冯志宏杨辉
关键词：MOVPE金属有机物气相外延立方相氮化镓
立方相GaN的持续光电导被引量：2
2003年
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .
张泽洪赵德刚孙元平冯志宏沈晓明张宝顺冯淦郑新和杨辉
关键词：立方相GAN持续光电导氮化镓
氮化镓的光电性质及器件工艺研究
该文对GaN的持续光电导现象进行了研究.为了探索GaN的肖特基接触特性,寻找最佳工艺条件,该文对Pt/n-GaN肖特基接触的高温退火行为进行了研究.该文主要内容归纳如下：1.研究了金属有机物化学气相外延（MOVPE）方法...
张泽洪
关键词：退火行为肖特基接触
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0