张泽洪 作品数:7 被引量:13 H指数:2 供职机构: 中国科学院半导体研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家杰出青年科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 被引量:2 2003年 在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0~6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 . 张泽洪 孙元平 赵德刚 段俐宏 王俊 沈晓明 冯淦 冯志宏 杨辉关键词:GAN PT 肖特基接触 退火 MOVPE GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文) 2002年 对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、KOH水溶液以及熔融KOH ,腐蚀温度为 90~ 30 0℃ .实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑 .KOH溶液腐蚀出长方形的坑 ,长边平行于 (111)A面 ,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同 .用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性 .此外 ,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错 . 沈晓明 冯志宏 冯淦 付羿 张宝顺 孙元平 张泽洪 杨辉关键词:砷化镓 MOVPE 湿法腐蚀 金属有机物气相外延 GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 被引量:1 2002年 采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN(0002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变. 冯淦 郑新和 朱建军 沈晓明 张宝顺 赵德刚 孙元平 张泽洪 王玉田 杨辉 梁骏吾关键词:GAN 半导体材料 GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现 被引量:7 2002年 利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 . 孙元平 张泽洪 赵德刚 冯志宏 付羿 张书明 杨辉关键词:发光二极管 立方相GAN 晶片键合 GAAS衬底 GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 2002年 研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 . 沈晓明 张秀兰 孙元平 赵德刚 冯淦 张宝顺 张泽洪 冯志宏 杨辉关键词:MOVPE 金属有机物气相外延 立方相 氮化镓 立方相GaN的持续光电导 被引量:2 2003年 研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 张泽洪 赵德刚 孙元平 冯志宏 沈晓明 张宝顺 冯淦 郑新和 杨辉关键词:立方相 GAN 持续光电导 氮化镓 氮化镓的光电性质及器件工艺研究 该文对GaN的持续光电导现象进行了研究.为了探索GaN的肖特基接触特性,寻找最佳工艺条件,该文对Pt/n-GaN肖特基接触的高温退火行为进行了研究.该文主要内容归纳如下:1.研究了金属有机物化学气相外延(MOVPE)方法... 张泽洪关键词:退火行为 肖特基接触