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张瑞捷

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金浙江省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇溶胶
  • 3篇发光
  • 2篇缩聚
  • 2篇硅基
  • 2篇硅烷
  • 1篇电致发光
  • 1篇氧合
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧氯化锆
  • 1篇乙氧基
  • 1篇有机硅
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇三乙氧基硅烷
  • 1篇树脂
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇铝溶胶
  • 1篇耐划伤
  • 1篇耐划伤性
  • 1篇金薄膜

机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇张瑞捷
  • 2篇杨辉
  • 2篇陈培良
  • 2篇杨德仁
  • 2篇郭兴忠
  • 2篇陆静娟
  • 2篇马向阳
  • 2篇张俊

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2010
  • 2篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
硅基Zn2SiO4:ZnO薄膜的电致发光被引量:1
2010年
利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4∶ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明:器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压(p-Si接正极)下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压(p-Si接负极)下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。
张瑞捷陈培良马向阳杨德仁
关键词:电致发光氧化锌硅酸锌
硅基ZnO系薄膜及其发光器件
ZnO具有3.37 eV的直接宽禁带,在室温下有相当高的激子束缚能(60 meV),是潜在的电致紫外发光器件的半导体材料。当ZnO与CdO形成合金半导体CdxZnO1-xO时,禁带宽度可以减小到~1.8 eV,因而可用于...
张瑞捷
关键词:光学性能发光器件溶胶-凝胶法硅基薄膜
文献传递
溶胶-凝胶法制备锆/有机硅复合薄膜被引量:4
2006年
以氧氯化锆(ZrOCl_2·8H_2O)和γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550)为先驱体,采用溶胶-凝胶法通过共缩聚反应在聚碳酸酯(PC)板表面制备了锆/有机硅复合薄膜,采用TG/DTA、FTIR、UV-VIS、金相显微镜及铅笔硬度测试方法对复合薄膜的结构及性能进行表征。研究结果表明,通过共缩聚反应,PC板表面形成带有机基团的无机交联网络结构,基本骨架由Si—O—Si,Si—O—Zr,Zr—O—Zr组成;当KH-550与氧氯化锆的物质的量比不低于21时,涂膜PC板的透过率较高,表面较平整;去离子水对薄膜性能的影响较小,水与氧氯化锆的用量在801~201内均可以。PC板镀膜后硬度也由2B提高到H,膜层与基体的结合较好,不易脱落。
陆静娟郭兴忠杨辉张瑞捷张俊
关键词:氧氯化锆Γ-氨丙基三乙氧基硅烷缩聚
一种镉锌氧合金薄膜及其制备方法
本发明公开了一种镉锌氧合金薄膜,利用磁控溅射法于特定的温度区间内在衬底上制备不同组分的镉锌氧薄膜,得到的不同组分的镉锌氧薄膜的发光波长在整个可见光范围内可调,为c轴取向性生长的单一六方相薄膜。本发明还公开了这种镉锌氧合金...
陈培良张瑞捷马向阳杨德仁
文献传递
硅铝溶胶改性甲基硅树脂耐划伤薄膜被引量:10
2006年
以甲基三甲氧基硅烷(MTMS)的水解缩聚产物作为主要成膜物质,正硅酸乙酯(TEOS)水解缩聚产物硅溶胶及异丙醇铝制备的勃姆石溶胶作为无机增强物,通过共缩聚反应在聚碳酸酯(PC)板表面制备硅铝胶改性甲基硅树脂耐磨薄膜;采用TG/DTA、FTIR、UV-VIS、金相显微镜及铅笔硬度测试方法对薄膜的结构及性能进行表征。研究结果表明,甲基硅树脂、硅胶、铝胶通过共缩聚反应在PC板表面形成带有机基团的无机交联网络结构,基本骨架由Si-O-Si,Si-O-Al,Al-O-Al组成;添加铝胶后,提高了薄膜的耐热性能以及薄膜硬度;薄膜对PC片的可见光透过率有一定的增透作用;铝胶的掺杂使薄膜表面不平整。
陆静娟杨辉郭兴忠张俊张瑞捷
关键词:甲基三甲氧基硅烷铝溶胶共缩聚耐划伤性
共1页<1>
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