张鹏举
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省中青年科技研究基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学更多>>
- 铜掺杂类金刚石纳米点阵列的制备及场发射性能研究被引量：1
- 2008年
- 利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列。微观分析表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列分布均匀,密度高达109cm-2;利用X射线光电子能谱对制备的铜掺杂类金刚石纳米点阵列进行结构分析,测得铜的掺杂量为3.6%且sp3键含量高达60%;通过对铜掺杂类金刚石纳米点阵列的场发射性能测试,试验结果表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列开启电场和阈值电场分别为0.08V/μm,0.42V/μm,并且在电场值为0.67V/μm时,发射电流密度高达95mA/cm2,场发射性能明显优于无掺杂类金刚石纳米点阵列。
- 崇二敏李晓春李春闫鹏勋张鹏举刘洋范晓彦
- 关键词：氧化铝模板场致发射
- 新型氧化铝模板自组装制备非晶碳纳米点阵列膜及其场发射性能研究
- 2010年
- 通过对阳极氧化铝(AAO)模板进行特殊扩孔处理,消除了AAO模板中带电阴离子对沉积碳离子的不良影响,利用磁过滤阴极弧等离子体沉积技术成功制备了非晶碳纳米尖点阵列膜.场发射扫描电镜(FESEM)分析表明,经过氧化和扩孔多步处理制备的AAO模板具有特殊的开口结构,制备的非晶碳纳米尖点阵列完整地复制了AAO模板的孔道阵列结构,纳米点排列整齐有序,直径约100nm,密度达1010cm-2,样品的场发射测试显示,非晶碳纳米点阵列具有良好的电子发射性能,发射电流为10mA/cm-2时的阈值电场为3.7V/μm.
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- 关键词：阳极氧化铝场发射
