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徐丰

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 7篇光电
  • 7篇光电子
  • 4篇氧化铁
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇电子器件
  • 3篇微电子
  • 3篇微电子器件
  • 3篇场发射
  • 2篇单晶纳米线
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体装置
  • 2篇氧化铟
  • 2篇蒸发工艺
  • 2篇铁镍合金
  • 2篇镍合金
  • 2篇气体
  • 2篇微米
  • 2篇微米级
  • 2篇显示器

机构

  • 9篇华东师范大学

作者

  • 9篇徐丰
  • 7篇郁可
  • 7篇朱自强
  • 6篇王青艳
  • 4篇石美荣
  • 2篇朱兵

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2008
  • 4篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
试论领导干部的节俭意识
成由俭，败于奢，这是一条深刻的历史经验。艰苦奋斗、勤俭节约是中华民族千百年来的传统美德，是我们党发展壮大的传家宝。2007年3月胡锦涛同志在参加十届全国人大五次会议重庆代表团的审议时要求各级干部特别是领导干部要进一步增强...
徐丰
关键词：领导干部节俭意识思想政治教育
文献传递
一种ZnO塔状的周期性单晶纳米结构及其制备方法
一种ZnO塔状的周期性单晶纳米结构及其制备方法，属于光电子和半导体材料及其制备方法的技术领域。该纳米结构是由生长在硅片上的六方纳米单元自下而上组装而成的具有层次和周期性的ZnO塔状单晶纳米结构，所述的塔状单晶纳米结构的长...
朱自强徐丰郁可
文献传递
在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)薄膜的方法，属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。在大气压强和没有催化剂的条件下，用热蒸发工艺蒸发氧化铟-石墨混合物...
王青艳郁可朱兵徐丰朱自强
文献传递
提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法
一种提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法，属于光电子和半导体材料制备和应用的技术领域，把氧化铁纳米线材料放入等离子体装置中，射频源的频率设定为13.6MHz，通入流量为5～50sccm的氢气，在功率和压强分别为100～5...
徐丰郁可朱自强王青艳石美荣
文献传递
一种氧化铁单晶纳米线的制备方法
一种氧化铁(Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)单晶纳米线的制备方法，属于光电子和半导体材料制备方法的技术领域。该方法以铁镍合金片作为反应物和衬底，以惰性气体Ar作为保护气体，在大气压强和600～11...
徐丰郁可朱自强王青艳石美荣
文献传递
在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)薄膜的方法，属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。在大气压强和没有催化剂的条件下，用热蒸发工艺蒸发氧化铟－石墨混合物...
王青艳郁可朱兵徐丰朱自强
文献传递
提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法
一种提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法，属于光电子和半导体材料制备和应用的技术领域，把氧化铁纳米线材料放入等离子体装置中，射频源的频率设定为13.6MHz，通入流量为5～50sccm的氢气，在功率和压强分别为100～5...
徐丰郁可朱自强王青艳石美荣
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半导体氧化物纳米结构的合成、光学及场发射性能研究
在本文中，我们对ZnO、SnO<,2>、α-Fe<,2>O<,3>等三种氧化物纳米结构的制备、光学和场发射性能进行了研究，主要内容和创新点如下： 1、通过用碳热还原法在不同条件下制备了四种不同形貌的分等级ZnO...
徐丰
关键词：氧化锌氧化锡碳热还原法光致发光场发射
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一种氧化铁单晶纳米线的制备方法
一种氧化铁(Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)单晶纳米线的制备方法，属于光电子和半导体材料制备方法的技术领域。该方法以铁镍合金片作为反应物和衬底，以惰性气体Ar作为保护气体，在大气压强和600～11...
徐丰郁可朱自强王青艳石美荣
文献传递
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