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朱智源

作品数:7 被引量:1H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇通孔
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电容
  • 2篇电容式
  • 2篇电容式压力
  • 2篇电容式压力传...
  • 2篇压力传感器
  • 2篇力传感器
  • 2篇膜片
  • 2篇环境检测
  • 2篇键合
  • 2篇核辐射
  • 2篇核辐射探测器
  • 2篇核物理
  • 2篇厚型
  • 2篇辐射探测器
  • 2篇
  • 2篇测量电路

机构

  • 7篇北京大学
  • 1篇北京信息科技...

作者

  • 7篇朱智源
  • 7篇金玉丰
  • 5篇朱韫晖
  • 5篇于民
  • 4篇缪旻
  • 2篇孙新
  • 2篇马盛林
  • 2篇胡安琪
  • 2篇刘晨晨
  • 1篇王少南
  • 1篇董显山
  • 1篇于民

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法
本发明公开了一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法,属于微机械电子技术领域。本发明的压阻式加速度传感器包括含有硅通孔阵列的质量块,含硅通孔的硅基边框,多个弹性梁,压敏电阻及半导体底板;所述质量块位于加速度传感器中央...
朱智源于民朱韫晖孙新陈兢缪旻金玉丰
文献传递
一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法
本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法,属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片,含可动电极的膜片,和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路;所述固定电极和所述可动电极之间...
朱智源朱韫晖于民缪旻金玉丰
一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法,属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器,厚型PIN探测器以及两者之间的金属键合层;所述薄型PIN探测器是在键合基片...
于民朱智源王陪权董显山刘晨晨胡安琪金玉丰
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一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法
本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法,属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片,含可动电极的膜片,和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路;所述固定电极和所述可动电极之间...
朱智源朱韫晖于民缪旻金玉丰
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一种具有散热功能的三维封装方法
本发明公开了一种具有散热功能的三维封装方法,该方法属于散热和封装技术领域,可以应用于对热功率密度较大的三维封装。该方法通过功能芯片的垂直互连上的微凸点进行芯片的三维堆叠,单个芯片的垂直互连用导电材料铜、铝实现,微凸点的材...
朱韫晖马盛林朱智源金玉丰其他发明人请求不公开姓名
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一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制备方法
本发明公开了一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制造方法,属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的复合式ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器,厚型PIN探测器以及两者之间的介质键合层;薄型PIN探测器与厚型PIN探测器...
朱智源于民王陪权朱韫晖孙新刘晨晨马盛林金玉丰
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采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究被引量:1
2014年
研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。
朱智源于民胡安琪王少南缪旻陈兢金玉丰
关键词:低压剪切强度
共1页<1>
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