李万成
- 作品数：15 被引量：34H指数：4
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 退火对MOCVD法生长ZnO薄膜性能的影响被引量：2
- 2004年
- 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1h。生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长。在样品的室温PL谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28eV,并观察到退火样品位于3.30eV的自由激子发射峰和位于3.23eV的施主-受主对的复合发光峰。实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高。
- 张源涛杨小天赵佰军刘博阳杨天鹏李万成刘大力杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火
- ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试
- 2002年
- 以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。
- 刘大力李公羽杜国同张景林张源涛李万成
- 关键词：光调制超晶格硫化锌硒化锌X射线衍射非线性光学
- 基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件被引量：10
- 2010年
- 制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。
- 范昭奇程传辉申人升李万成王瑾白青龙夏道成杜国同
- 关键词：酞菁
- 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
- 2005年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。
- 张源涛崔勇国张宝林朱慧超李万成常遇春杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底PL谱异质结
- O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
- 本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化...
- 马艳杜国同杨树人李正庭李万成杨天鹏杨洪军张源涛杨小天赵佰军刘博阳刘大力姜秀英
- 关键词：ZNO薄膜LP-MOCVDPL谱金属有机化学气相淀积表面形貌光致发光谱
- 文献传递
- As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
- 2008年
- 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。
- 管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同
- 关键词：ZNOGAASXPS受主
- As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
- 利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO（ZnO:As）薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上（ZnO:As:A）;另一种是直接生长在GaAs衬底上（ZnO:As:G）。...
- 管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同
- 关键词：ZNOGAASXPS受主
- 文献传递
- ZnO薄膜生长用光照MOCVD设备及其p型掺杂工艺
- 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，具体涉及一种ZnO薄膜专用光照辅助生长金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统及其工艺方法和p型掺杂技术。其特征是在反应室内装有光源(19)，在反应室侧壁上装有带绝缘电极...
- 杜国同李万成张宝林
- 文献传递
- ZnO薄膜生长用光照MOCVD设备及其p型掺杂工艺
- 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，具体涉及一种ZnO薄膜专用光照辅助生长金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统及其工艺方法和p型掺杂技术。其特征是在反应室内装有光源(19)，在反应室侧壁上装有带绝缘电极...
- 杜国同李万成张宝林
- 文献传递
- 平面双核酞菁钴中心离子价态及其性质研究被引量：9
- 2003年
- 采用XPS方法确定了平面双核酞菁钴分子中两个Co离子的价态.讨论了平面双核酞菁钴分子中Co离子的价态与分子构形、配位性质、分子识别和分子整流特性等之间的联系.在平面双核酞菁钴分子中,两个Co离子具有不同的价态,Co(Ⅰ)Pc-PcCo(Ⅲ)这种分子构形使得该分子表现出一些独特的性质.在配位化学上表现出一个Co(Ⅰ)Pc-PcCo(Ⅲ)分子与三个配体形成配合物.在形成单分子膜时表现出分子的识别能力,Co(Ⅰ)Pc-PcCo(Ⅲ)表现出分子整流特性.
- 杜锡光杜国同马春雨侯小珂李万成
- 关键词：离子价态钴配合物
