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李杨超

作品数:7 被引量:7H指数:1
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇等离子
  • 2篇烧结磁体
  • 2篇激活能
  • 2篇光电
  • 2篇光学
  • 2篇放电等离子
  • 2篇SMCO
  • 2篇SMCO5
  • 2篇SPS
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇磁体
  • 2篇CUCR
  • 1篇带隙
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇电阻
  • 1篇性能研究
  • 1篇整流特性

机构

  • 7篇北京工业大学
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 7篇李杨超
  • 4篇严辉
  • 4篇张铭
  • 4篇董国波
  • 3篇赵学平
  • 2篇张久兴
  • 2篇许刚
  • 2篇张东涛
  • 2篇潘利军
  • 2篇岳明
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇李朝荣
  • 1篇王波
  • 1篇李英姿
  • 1篇侯育东
  • 1篇汪浩
  • 1篇王如志
  • 1篇王玫
  • 1篇黄安平

传媒

  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇功能材料
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
放电等离子烧结制备块状纳米晶SmCo5烧结磁体
2007年
采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了致密纳米晶SmCo5烧结磁体,研究了磁体的结构和磁性能。X衍射结果表明,烧结磁体具有CaCu5结构,说明SPS过程可以获得稳定的1:5相。TEM观察显示,磁体由平均晶粒尺寸约为30nm的1:5相构成。室温时磁体的矫顽力高达2208kA/m,而剩磁比高达0,7,说明在纳米晶之间存在强烈的晶间交换耦合作用。烧结磁体具有良好的高温性能,773K时的矫顽力为456kA/m,矫顽力温度系数β为-0.212%/K。
许刚潘利军李杨超张东涛岳明张久兴
关键词:SMCO烧结磁体SPS
p-CuCr_(0.91)Mg_(0.09)O_2/n-Si p-n结的制备与电学特性被引量:1
2013年
利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si异质结。XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有(012)取向生长特点,正的霍尔系数确定薄膜的P型特性;电流-电压特性测试结果显示p-CuCr0.91.Mg0.09O2/n—Si异质结具有明显的整流特性,结的开启电压约为1.0V,在-5.0~5.0V的电压范围内正向电压与反向方向电压比约为8.2。基于p-n+单边突变结理论,对p-CuCr0.91Mg0.09O2/n—Si异质结的电流曲线进行模拟,模拟结果表明界面状态和串联电阻是影响结整流特性性质的重要因素。
董国波张铭李杨超王玫李英姿李朝荣黄安平严辉
关键词:整流特性串联电阻
CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能被引量:6
2010年
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x=0.09时,样品的室温电导率可达6.16×10-2S/cm,比未掺杂的CuCrO2提高近400倍,且霍耳测试表明所制备的薄膜为p型导电体。电导率随温度变化关系表明:薄膜样品在200~300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律;当x=0.09时,最低激活能仅为0.034eV。薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。
李杨超张铭董国波赵学平严辉
关键词:光学带隙激活能
p型透明氧化物CuCrO/_2薄膜的制备与性能研究
透明氧化物半导体/(TOS/)是一种在可见光区域具有良好的透光性,并且导电性优异的光电材料,由于具备这两个特性,被广泛应用于电子工业领域。根据导电特性的不同分为n型与p型两类。目前n型TOS已经被广泛应用,而p型TOS相...
李杨超
关键词:磁控溅射
文献传递
衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响
2010年
采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3.02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27.1S·cm^-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。
李杨超张铭赵学平董国波严辉
关键词:激活能
p型透明氧化物半导体CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜材料的制备方法
本发明涉及一种p型透明氧化物半导体CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为99.9%的Cu<Sub>2</Sub>O粉体和Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体按Cu与...
张铭赵学平董国波李杨超严辉王波宋雪梅王如志侯育东汪浩
文献传递
放电等离子烧结制备块状纳米晶SmCo5烧结磁体
采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了致密纳米晶 SmCo烧结磁体,研究了磁体的结构和磁性能.X 衍射结果表明,烧结磁体具有 CaCu结构,说明 SPS 过程可以获得稳定的1:5相.TEM 观察显示,磁体由平均晶粒尺寸约...
许刚潘利军李杨超张东涛岳明张久兴
关键词:SMCO烧结磁体SPS
文献传递
共1页<1>
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