李炜
- 作品数：16 被引量：39H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 低剂量注水形成SOI结构与注入能量的关系研究
- 采用无质量分析器的离子注入机以低能量低剂量注水的方式代替常规的SIMOX注氧制备SOI材料.这种新技术具有注入时间短和降低成本的优点,是未来低价商用SOI材料制备可选方法之一.在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI...
- 陈静陈猛王湘董业民郑志宏张峰李炜王曦
- 关键词：SOI结构离子注入机
- 文献传递
- 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4
- 1999年
- 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳
- 关键词：非晶金刚石薄膜
- 二维氢原子中的基态奇异特性数值精确对角化法
- 2017年
- 利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得到的波函数数值解及其相应的本征能量均与解析结果相一致.这套新的完备的离散贝塞尔基函数,可以在研究一些波函数具有数值奇异特性的体系中发挥至关重要的作用.
- 刘褚航强百强季育琛李炜
- 关键词：二维氢原子
- 类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11
- 2002年
- 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。
- 冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤
- 关键词：类金刚石薄膜场发射显示器
- 低剂量SIMOX圆片研究
- 用剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法和Cu-plating表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征.结果显示,选择恰当的剂量能量窗口,低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低...
- 陈猛陈静张峰李炜徐彦芬陈可炜王湘刘相华王曦
- 关键词：SOI材料SIMOX圆片
- 文献传递
- 高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料被引量：2
- 1999年
- 采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：金刚石薄膜显示器CVD
- 高端硅基SOI材料研发和产业化
- 王曦林成鲁张苗陈猛俞跃辉张峰李炜宋志棠张正选刘卫丽王连卫林梓鑫陈静李守臣
- 绝缘体上硅(SOI)技术具有抗辐射独特优越性，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。该项目历经二十余年的努力，系统解决了SOI材料制备的氧离子注入，高温退火等一系列关键技术，在超低剂量SOI材料技术上有所创新，并...
- 关键词：
- 关键词：高温退火抗辐射
- 离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜被引量：9
- 2001年
- 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构 Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在 ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的 ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量 Ｚｎ的蒸发。
- 李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：荧光薄膜光致发光场发射显示器离子束溅射
- Ca1-xNdxFe2As2超导体的弱连接行为和相图研究
- 最近发现在稀土掺杂的铁基CaFe2As2(122)体系中超导转变温度(Tc)最大可以达到49K,远高于其它122体系.但其物理本质还存在很大的分歧,可能归因于界面超导,filamentary超导或者是晶粒之间的Josep...
- 高波李萧江季秋骋牟刚李炜胡涛谢晓明
- 新型硅基材料SOI产业化
- 林成鲁王曦俞跃辉张苗陈猛张峰李炜林梓鑫周祖尧王连卫宋志棠徐彦芬
- 上海微系统所拥有自主知识产权的SOI圆片制备技术，已获得5项发明专利，1项实用性专利，并申请了14项发明专利（见附件1），这些专利覆盖了SOI新技术、SOI材料制备、SOI材料改进、SOI材料应用等多方面，保证了SOI圆...
- 关键词：
- 关键词：硅基材料SOI
