李炜
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 供职机构：华南理工大学理学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种高性能CMOS基准电流源的设计被引量：5
- 2005年
- 采用温度补偿技术设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用N阱CMOS工艺实现。通过Cadence Spectres仿真和测试的结果表明,在-40-85℃的温度范围内,该电路输出基准电流的温度系数小于40ppm/℃,基准电流对电源电压的灵敏度小于0.1%。在3.3V电源电压下功耗仅为1.3mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源。
- 蔡敏李炜
- 关键词：CMOS基准电流源低温漂低功耗
- PHS接收芯片中的限幅放大器与接收信号强度探测器的设计
- 2006年
- 本文采用0.25μCMOS工艺设计了一种应用于PHS接收芯片的10.8MHz低功耗限幅放大器和低温漂对数型接收信号强度探测器(RSSI)。电路采用了温度补偿方法减小温度对RSSI信号的影响。仿真结果表明此电路在-40℃～85℃的温度范围内RSSI信号误差小于60mV。RSSI线性度误差在±1dB范围内,输入动态范围约为56dB,并且限幅放大器输出电压峰峰值被限定为550mV。在3V电源电压下电路总功耗为8.3mW。
- 万艳李炜李鹏郑学仁
- 关键词：限幅放大器接收芯片探测器PHSRSSI
- 一种电流求和型CMOS基准电流源被引量：8
- 2005年
- 基于温度补偿的方法设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用0．35mm N阱 CMOS工艺实现。通过Cadence Spectre工具仿真,结果表明,在-40-85℃的温度范围内,该电路输出 电流的温度系数小于40×10-6／℃。在3．3V电源电压下功耗约为1mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源。
- 李炜蔡敏
- 关键词：互补金属氧化物半导体基准电流源低温漂低功耗
- 真随机数发生器芯片的设计被引量：6
- 2006年
- 真随机数发生器在安全领域内有着广泛的应用。文章主要介绍了在一块芯片上产生随机数的三种方法,并且提供了一套随机数定量检测的方法。
- 万艳林晓伟李炜郑学仁冯禀刚
- 关键词：真随机数发生器
