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李碧珊

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：陕西省教育厅规划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇第一性原理
  • 2篇碳化硅
  • 2篇稳定性
  • 2篇硫钝化
  • 1篇钝化
  • 1篇少子寿命
  • 1篇势垒
  • 1篇碳化硅器件
  • 1篇稳定性分析
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇抗氧化
  • 1篇抗氧化性
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅器件
  • 1篇半导体
  • 1篇SI(100...
  • 1篇6H-SIC

机构

  • 3篇西安理工大学

作者

  • 3篇李碧珊
  • 2篇杨莺
  • 1篇陈进
  • 1篇李峰
  • 1篇李峰
  • 1篇邢青青
  • 1篇侯志斌

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硫吸附6H-SiC的表面稳定性分析
由于碳化硅功率器件在表面处发生化学键断裂，为禁带中引入大量非本征能态从而对材料的化学、电学及光学特性造成很大影响，极大地降低器件性能。为解决这一问题，本课题组基于Valence-Mending概念，提出对碳化硅器件表面进...
李碧珊
关键词：第一性原理硫钝化碳化硅稳定性分析功率器件
文献传递
硫钝化6H碳化硅表面的稳定性
第一性原理计算了不同S原子覆盖率下6H-SiC(000(1))的表面能、电荷布局及表面态密度来研究钝化表面的稳定性问题.计算结果表明,S吸附6H-SiC(000(1))使表面态降低了约20electrons/eV,并且随...
李碧珊杨莺李峰范晟嘉贺小敏
关键词：碳化硅器件第一性原理
Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究被引量：2
2014年
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究。对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV。少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强。
李峰杨莺李碧珊陈进邢青青侯志斌
关键词：肖特基势垒少子寿命稳定性抗氧化性
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