杨丹丹
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：天津市科技计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- HVPE法生长AlN薄膜材料被引量：2
- 2010年
- 利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。
- 徐永宽李强程红娟殷海丰于祥潞杨丹丹刘金鑫岳洋张峰
- 关键词：氮化铝载气蓝宝石衬底X射线衍射
- 衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响
- 本文主要研究了GaN HVPE(hydride vapoar phase epitaxy)外延生长过程中,蓝宝石衬底偏角对外延片表面形貌、弯曲度及晶体质量的影响。本次研究中GaN HVPE外延生长条件相同,而使用的c面蓝...
- 程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 文献传递
- HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
- 2012年
- 采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/Ⅲ影响成核岛演变的规律。
- 杨丹丹徐永宽程红娟张嵩李晖徐所成史月增刘金鑫岳洋张峰郝建民
- 关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射
- GaN HVPE生长基座优化研究
- 本论文采用计算机模拟技术,研究了氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中石墨基座上的温度分布情况并对基座结构进行了优化。在竖直HVPE电阻丝加热炉内。由于热辐射和热传导及对流的影响,蓝宝石衬底上温度分布不均匀,进而影响...
- 程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩
- 关键词：氮化镓晶体生长氢化物气相外延
- 文献传递
- 碳/碳复合材料在半导体制造行业的应用被引量：1
- 2010年
- 通过对C/C复合材料力学性、断裂性、导热性、热弯曲强度、氧化性及烧蚀性几方面性能进行详细归纳,总结出其具有其他材料不可替代的独特性能。深入解析了C/C复合材料在单晶硅制造中作为热场材料应用的可能性乃至必要性,提出C/C复合材料终将取代石墨材料成为制造大型单晶炉隔热部件的首选材料。
- 吴磊刘峰韩焕鹏杨丹丹周传月
- 关键词：C/C复合材料隔热材料
- 用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量：3
- 2019年
- 介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区。结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征。二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致。对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面。
- 杨丹丹王健孙科伟张胜男金雷程红娟郝建民
- 关键词：面扫描
- 载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
- 2012年
- 采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。
- 杨丹丹徐永宽张嵩程红娟李晖徐所成史月增徐胜
- 关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射载气
- β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌研究被引量：1
- 2019年
- 详细介绍了(100)、(010)和(■01)三种不同晶面的β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga_2O_3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H_3PO_4溶液为腐蚀液,腐蚀时间为1.5 h,腐蚀温度为90℃时,(100)、(010)和(■01)晶面腐蚀坑密度分别约为6.9×10^(4 )cm^(-2)、2.3×10^(4 )cm^(-2)和7.7×10^(4 )cm^(-2)。通过光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察,结果表明(100)面腐蚀坑形状为非对称六边形,(010)面腐蚀坑形貌为菱形,(■01)面腐蚀坑形貌为倾斜的五边形,并确定了(100)面、(010)面、(■01)面的最终腐蚀坑状态,腐蚀坑的不同形状可能与不同晶向β-Ga_2O_3表面状态的耐化学腐蚀差异有关。
- 杨丹丹金雷张胜男练小正孙科伟程红娟徐永宽
- 关键词：位错密度
- 一种甲苯磺酸盐核磁共振谱峰归属与晶体制备
- 2016年
- 通过两步有机反应制备出4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂茋的对甲苯磺酸盐（DAST）粉体,并利用重结晶法进行提纯。通过DAST的二维核磁共振（2D NMR）中同核相关谱（correlated spectroscopy,COSY）、异核单量子相干谱（heteronuclear single-quantum coherence,HSQC）和异核多键相关谱（heteronuclear multiple-bond correlation,HMBC）进行表征,实现了^1H和^13C NMR谱峰的完全归属,确证了DAST分子结构。使用经提纯后的DAST粉体配制其甲醇溶液,通过溶液降温法自发成核过程生长出尺寸为（1～3）mm×（1～3）mm×（0.3～0.6）mm的DAST晶体。
- 庞子博孟大磊武聪徐永宽程红娟洪颖杨丹丹
- 关键词：有机非线性光学晶体核磁共振晶体生长
