杨公安
- 作品数：27 被引量：87H指数：7
- 供职机构：陕西科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- Sm掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷晶体结构及电性能的研究被引量：7
- 2009年
- 采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷。利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12(BST)陶瓷晶体结构及电性能的影响。结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构。样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高。
- 王瑾菲蒲永平杨公安庄永勇杨文虎毛玉琴
- 关键词：固相反应BI4TI3O12介电性能晶体结构
- 含铋BaTiO_3基PTC陶瓷半导化研究被引量：5
- 2009年
- 采用zBi4Ti3O12+(1-z)BaTi1-xLaxO3系统,按照传统的氧化物工艺制备陶瓷样品,分析La掺杂量对陶瓷电阻率的影响。采用两种气氛烧结:在空气中和在还原气氛中烧结,分析烧结气氛对陶瓷半导化的影响。结果表明:BaTiO3+0.2%La2O3制备Ba0.998La0.002TiO3时,没有加入促进烧结的液相添加剂,使得烧结温度很高1350℃。在制备zBi4Ti3O12+(1-z)Ba0.998La0.002TiO3时,在空气中烧结,任何配比下都无法实现半导化样品,但在氮气中无论裸烧还是埋烧,均是配比为0.3∶0.7时的样品显现出较好的半导化效果。
- 梁云鹤王瑾菲蒲永平杨公安杨文虎
- 关键词：无铅陶瓷
- 液相添加剂对BaTiO_3系无铅PTC陶瓷烧结温度的影响被引量：3
- 2009年
- 在制备BaTiO3系PTCR热敏陶瓷过程中,液相添加剂起着重要作用。本文阐述了AST、B2O3、Li2O、TiO2对BaTiO3烧结温度的影响,并对如何降低无铅PTC陶瓷烧结温度进行研究及展望。
- 王瑾菲蒲永平杨公安杨文虎
- 关键词：无铅PTC烧结温度
- BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅PTCR陶瓷研究被引量：5
- 2009年
- 以BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3(BT-NBT)陶瓷系统为研究对象,采用固相法制备了(1-x)BT+xNBT(0.01
- 韦继锋蒲永平王瑾菲杨公安
- 关键词：BATIO3陶瓷无铅阻温特性PTC效应
- (1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)陶瓷电性能的研究
- 2009年
- 采用固相法制备了(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.03)陶瓷,研究了Bi4Ti3O12掺杂量以及烧结气氛对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷显微结构、居里温度Tc及介电性能的影响。结果表明:Bi4Ti3O12在Ba0.998La0.002TiO3陶瓷中的掺杂抑制了陶瓷晶粒的生长,使居里温度提高到约150℃。在空气中烧结的陶瓷的介电常数随Bi4Ti3O12掺杂量的增加先减小后增大,当Bi4Ti3O12掺杂量为1.5 mol%时,陶瓷的介电常数最小(还原再氧化陶瓷的介电常数为6.0×103,空气中烧成的陶瓷的介电常数为9.0×102)。
- 赵新蒲永平王瑾菲王瑾菲陈小龙
- 关键词：钛酸铋居里温度
- 高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究被引量：5
- 2009年
- 采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。
- 蒲永平王瑾菲赵新杨公安陈小龙吴胜红
- 关键词：BI4TI3O12居里温度
- 钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及其制备方法
- 钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及制备方法，采用钛酸钡粉料与五氧化二铌、微晶玻璃粉料混合为主组成的配方和相应的烧结制度，可以获得晶粒均匀，高温度稳定性(ΔC/C<Sub>25℃</Sub>≤10％)，介电常数较高(ε<Sub>...
- 蒲永平杨公安王瑾菲陈小龙赵新
- 文献传递
- 电子原材料BaTiO_3粉体的研究进展被引量：3
- 2009年
- 针对钛酸钡的结构特点和优良的介电性能,阐述了钛酸钡粉体的不同制造方法,并对其进行了比较。结合钛酸钡在电子工业的应用现状和广泛的应用前景对制备钛酸钡粉体进行了展望,指出:大规模工业化生产出相对廉价的高纯超细的钛酸钡粉体是未来的研究重点和发展趋势。
- 杨公安蒲永平王瑾菲庄永勇毛玉琴
- 关键词：BATIO3超细粉体
- 高浓度Sm2O3掺杂的BIT陶瓷显微结构与电性能研究
- 以BiTiO(BIT)陶瓷为研究对象,采用固相烧结工艺制备高浓度SmO掺杂的BIT基陶瓷材料。采用XRD、SEM等分析手段对陶瓷材料的物相、显微结构进行表征,并利用电容测量仪、电滞回线测试仪等对陶
- 庄永勇蒲永平王瑾菲杨公安
- 文献传递
- 高浓度Sm_2O_3掺杂的BIT陶瓷微结构与电性能研究被引量：3
- 2009年
- 采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电常数为114,室温介质损耗(tanδ)为0.002;当Sm2O3浓度为6.0mol%时,陶瓷材料的室温介电常数为119,室温介质损耗(tanδ)为0.0027。
- 庄永勇蒲永平王瑾菲王瑾菲
- 关键词：高浓度微观结构电性能
